爱思开海力士有限公司金宗铉获国家专利权
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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利包括层叠的半导体芯片的半导体封装件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114639652B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110510344.7，技术领域涉及：H01L23/49；该发明授权包括层叠的半导体芯片的半导体封装件及其制造方法是由金宗铉设计研发完成，并于2021-05-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括层叠的半导体芯片的半导体封装件及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请涉及包括层叠的半导体芯片的半导体封装件及其制造方法。一种半导体封装件可以包括：基层；第一半导体芯片至第N半导体芯片N为大于1的自然数，其在基层上方依次偏移层叠，使得一侧边缘区域的芯片焊盘部被暴露，其中，芯片焊盘部包括芯片焊盘并且包括与芯片焊盘部分接触并远离芯片焊盘延伸的重分配焊盘；以及接合布线，当k为大于1的自然数时，该接合布线将第一半导体芯片至第N半导体芯片当中的第k半导体芯片的芯片焊盘连接至第k‑1半导体芯片或第k+1半导体芯片的重分配焊盘，以及当k为1时，该接合布线将第k半导体芯片的芯片焊盘连接至基层的焊盘或第k+1半导体芯片的重分配焊盘。
本发明授权包括层叠的半导体芯片的半导体封装件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装件，该半导体封装件包括： 基层； 第一半导体芯片至第N半导体芯片，该第一半导体芯片至该第N半导体芯片在所述基层上方依次偏移层叠，使得一侧边缘区域的芯片焊盘部被暴露，其中，所述芯片焊盘部包括芯片焊盘并且包括与所述芯片焊盘部分接触并远离所述芯片焊盘延伸的重分配焊盘，其中，N为大于1的自然数；以及 接合布线，该接合布线在k为大于1的自然数时将所述第一半导体芯片至所述第N半导体芯片当中的第k半导体芯片的所述芯片焊盘连接至第k-1半导体芯片或第k+1半导体芯片的所述重分配焊盘，并且该接合布线在k为1时将所述第k半导体芯片的所述芯片焊盘连接至所述基层的焊盘或所述第k+1半导体芯片的所述重分配焊盘。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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