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龙图腾网获悉桑迪士克科技有限责任公司申请的专利包含抗氧化接触结构的三维存储器器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114830329B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180006577.1，技术领域涉及：H01L23/522；该发明授权包含抗氧化接触结构的三维存储器器件及其制造方法是由泷井英佑;桥本平谷;小山伸设计研发完成，并于2021-06-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本包含抗氧化接触结构的三维存储器器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体结构，该半导体结构包括：位于衬底半导体层的顶表面上的半导体器件、较低层级金属互连结构、源极层级材料层以及三维存储器阵列，该三维存储器阵列包括：绝缘层和导电层的交替堆叠，以及竖直延伸穿过该交替堆叠并且包括相应的竖直半导体沟道和相应的存储器膜的存储器堆叠结构。绝缘板和介电材料板的竖直交替序列被该交替堆叠横向围绕。直通存储器层级互连通孔结构竖直延伸穿过该竖直交替序列内的每个板并且接触该较低层级金属互连结构中的一者的顶表面的中心部分。至少一个氮化硅衬垫防止或减少该直通存储器层级互连通孔结构下方的该较低层级金属互连结构的氧化。

本发明授权包含抗氧化接触结构的三维存储器器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括： 半导体器件，所述半导体器件位于衬底半导体层的顶表面上； 较低层级金属互连结构，所述较低层级金属互连结构嵌入在较低层级介电材料层中并且电连接到所述半导体器件并覆盖在所述衬底半导体层上面； 源极层级材料层，所述源极层级材料层覆盖在所述较低层级介电材料层上面并且包括穿过其中的开口； 绝缘层和导电层的交替堆叠，所述交替堆叠覆盖在所述源极层级材料层上面； 存储器堆叠结构，所述存储器堆叠结构竖直延伸穿过所述交替堆叠，并且包括相应的竖直半导体沟道和相应的存储器膜； 绝缘板和介电材料板的竖直交替序列，所述竖直交替序列被所述交替堆叠横向围绕； 第一直通存储器层级互连通孔结构，所述第一直通存储器层级互连通孔结构竖直延伸穿过所述竖直交替序列内的每个板并且接触所述较低层级金属互连结构中的一者的顶表面的中心部分； 至少一个氮化硅衬垫，所述至少一个氮化硅衬垫接触所述较低层级金属互连结构中的所述一者的所述顶表面的周边部分并且接触所述第一直通存储器层级互连通孔结构的侧壁的圆柱形底端部分，其中所述至少一个氮化硅衬垫包括第一保形氮化硅衬垫，所述第一保形氮化硅衬垫接触所述竖直交替序列内的每个板；以及 第一保形氧化硅衬垫，所述第一保形氧化硅衬垫接触所述保形氮化硅衬垫的内圆柱形侧壁并且横向围绕所述第一直通存储器层级互连通孔结构。

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