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龙图腾网获悉马鞍山市槟城电子有限公司申请的专利一种半导体放电管及其制作方法、过电压保护装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113314594B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110712130.8，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种半导体放电管及其制作方法、过电压保护装置是由蔡锦波;陈林设计研发完成，并于2021-06-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体放电管及其制作方法、过电压保护装置在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了一种半导体放电管及其制作方法、过电压保护装置。其中，半导体放电管的制作方法包括：在半导体衬底的任一器件单元区中，在半导体衬底上形成被第一导电类型的本体区所间隔的第二导电类型的第一扩散区和第二扩散区；在半导体衬底设置有第一扩散区的一侧形成凹槽；沿着凹槽向半导体衬底内扩散，以形成第一导电类型的第三扩散区，第三扩散区均与第一扩散区和半导体衬底的本体区相接触；在第一扩散区内形成第一导电类型的第四扩散区，第三扩散区和第四扩散区间隔设置；形成对应的第一导电块，其中，第一导电块与第一扩散区和第四扩散区电连接。本发明实施例提供的技术方案可以降低雷击浪涌时的残压。

本发明授权一种半导体放电管及其制作方法、过电压保护装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体放电管的制作方法，其特征在于，包括： 提供第一导电类型的半导体衬底，所述半导体衬底包括至少一个器件单元区； 在任一所述器件单元区中，在所述半导体衬底上形成第二导电类型的第一扩散区和第二扩散区，所述第一扩散区和所述第二扩散区被所述半导体衬底的第一导电类型的本体区所间隔；其中，所述第一导电类型和第二导电类型不同； 在任一所述器件单元区中，在所述半导体衬底的一侧形成凹槽，其中，所述凹槽与所述第一扩散区位于所述半导体衬底的同一侧； 形成沿着所述凹槽向所述半导体衬底内延伸的第一导电类型的第三扩散区，其中，所述第三扩散区均与所述第一扩散区和所述半导体衬底的本体区相接触； 在任一所述器件单元区中，在所述第一扩散区内形成第一导电类型的第四扩散区，其中，所述第三扩散区和所述第四扩散区间隔设置； 在任一所述器件单元区中，形成对应的第一导电块，其中，所述第一导电块与所述第一扩散区和所述第四扩散区电连接，由所述第三扩散区通过所述第一扩散区到达最近的短路点的最短电流流通路径上，经过与所述第四扩散区相接触的那部分第一扩散区；其中，所述短路点为所述第一扩散区与所述第一导电块的相接触部分； 将任一所述器件单元区中的所述第一导电块和所述第二扩散区与不同的电极电连接。

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