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龙图腾网获悉马鞍山市槟城电子有限公司申请的专利一种半导体放电管及其制作方法、过电压保护装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113314593B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110711484.0，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种半导体放电管及其制作方法、过电压保护装置是由蔡锦波;陈林设计研发完成，并于2021-06-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体放电管及其制作方法、过电压保护装置在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了一种半导体放电管及其制作方法、过电压保护装置。其中，半导体放电管包括：半导体衬底、多个导电块和两个电极，在半导体衬底的任一器件单元区中，第一导电块与第一扩散区和第四扩散区电连接；第二导电块与第一扩散区和第五扩散区电连接；由第三扩散区通过第一扩散区到达最近的第一短路点的最短电流流通路径上，依次经过与第四扩散区相接触的那部分第一扩散区、第二短路点和与第五扩散区相接触的那部分第一扩散区；第四扩散区靠近第三扩散区的一端到第二短路点的最短距离大于第五扩散区靠近第四扩散区的一端到第一短路点的最短距离。本发明实施例提供的技术方案可实现低转折电流高维持电流特性。

本发明授权一种半导体放电管及其制作方法、过电压保护装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体放电管，其特征在于，包括： 第一导电类型的半导体衬底，所述半导体衬底包括至少一个器件单元区；在任一所述器件单元区中，所述半导体衬底设置有第二导电类型的第一扩散区和第二扩散区，以及第一导电类型的第三扩散区，所述第一扩散区和所述第二扩散区被所述半导体衬底的第一导电类型的本体区所间隔；所述第三扩散区均与所述第一扩散区和所述半导体衬底的本体区相接触；所述第一扩散区内设置有第一导电类型的第四扩散区和第五扩散区；所述第三扩散区、所述第四扩散区和所述第五扩散区间隔设置，其中，所述第一导电类型和第二导电类型不同； 在任一所述器件单元区中对应设置的第一导电块，所述第一导电块与所述第一扩散区和所述第四扩散区电连接； 在任一所述器件单元区中对应设置的第二导电块，所述第二导电块与所述第一扩散区和所述第五扩散区电连接；由所述第三扩散区通过所述第一扩散区到达最近的第一短路点的最短电流流通路径上，依次经过与所述第四扩散区相接触的那部分第一扩散区、第二短路点和与所述第五扩散区相接触的那部分第一扩散区；其中，所述第一短路点为所述第一扩散区与所述第二导电块的相接触部分；所述第二短路点为所述第一扩散区与所述第一导电块的相接触部分；沿由所述第三扩散区通过所述第一扩散区到达最近的第一短路点的最短电流流通路径的方向，所述第四扩散区靠近所述第三扩散区的一端到所述第二短路点的最短距离大于所述第五扩散区靠近所述第四扩散区的一端到所述第一短路点的最短距离； 两个电极，在任一所述器件单元区中，所述第二导电块和所述第二扩散区电连接至不同的电极。

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