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龙图腾网获悉株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社申请的专利半导体装置以及半导体电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114267731B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110827985.5，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体装置以及半导体电路是由末代知子;岩鍜治阳子;系数裕子设计研发完成，并于2021-07-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置以及半导体电路在说明书摘要公布了：实施方式提供一种可抑制由电流集中引起的破坏的半导体装置以及半导体电路。实施方式的半导体装置具备：具有第一面和与第一面对置的第二面的半导体层，该半导体层包括设于第一面侧的第一沟槽、第二沟槽以及第三沟槽；第一沟槽之中的第一栅极电极；第二沟槽之中的第二栅极电极；第三沟槽之中的第三栅极电极；设于第二面侧的第四栅极电极及第五栅极电极；与第一面相接的第一电极；与第二面相接的第二电极；与第一栅极电极电连接的第一电极焊盘；与第二栅极电极电连接的第二电极焊盘；与第三栅极电极电连接的第三电极焊盘；与第四栅极电极电连接的第四电极焊盘；以及与第五栅极电极电连接的第五电极焊盘。

本发明授权半导体装置以及半导体电路在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，具备： 具有第一面和与所述第一面对置的第二面的半导体层，该半导体层包括： 第一沟槽，设于所述第一面侧； 第二沟槽，设于所述第一面侧；以及 第三沟槽，设于所述第一面侧； 第一栅极电极，设于所述第一沟槽之中； 第二栅极电极，设于所述第二沟槽之中； 第三栅极电极，设于所述第三沟槽之中； 第四栅极电极，设于所述第二面侧； 第五栅极电极，设于所述第二面侧； 第一电极，与所述第一面相接； 第二电极，与所述第二面相接； 第一电极焊盘，与所述第一栅极电极电连接； 第二电极焊盘，与所述第二栅极电极电连接； 第三电极焊盘，与所述第三栅极电极电连接； 第四电极焊盘，与所述第四栅极电极电连接；以及 第五电极焊盘，与所述第五栅极电极电连接， 在比所述半导体装置进行关断动作的时刻靠前的第一时刻，使由施加于所述第二栅极电极的第二栅极电压控制的晶体管成为断开状态，在所述半导体装置进行导通动作的时刻，使由施加于所述第三栅极电极的第三栅极电压控制的晶体管成为接通状态，在比所述半导体装置进行关断动作的时刻靠前的第二时刻，使由施加于所述第三栅极电极的第三栅极电压控制的晶体管成为断开状态，在比所述半导体装置进行关断动作的时刻靠前的时刻，使由施加于所述第四栅极电极的第四栅极电压控制的晶体管成为接通状态，所述第二时刻在所述第一时刻之前。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社，其通讯地址为：日本东京都；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。