无锡华润上华科技有限公司徐顺强获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡华润上华科技有限公司申请的专利一种非易失性存储器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115701219B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110860442.3，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权一种非易失性存储器及其制造方法是由徐顺强;王浩;郭术明;张楠;龚才;黄勇;李侠设计研发完成，并于2021-07-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种非易失性存储器及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种非易失性存储器及其制造方法，该非易失性存储器包括衬底、浮栅结构、硅化阻挡层及孔刻蚀阻挡层，其中，浮栅结构位于衬底上，浮栅结构包括自下而上依次堆叠的栅介质层与多晶硅层，并包括位于栅介质层及多晶硅层侧面的侧墙；硅化阻挡层位于衬底上并覆盖浮栅结构，硅化阻挡层的厚度大于35nm；孔刻蚀阻挡层位于衬底上并覆盖硅化物阻挡层。本发明通过增加多晶浮栅与孔刻蚀阻挡层之间的硅化阻挡层的厚度，能够有效地抑制浮栅电荷通过顶部介质的漏电，从而提高非易失性存储器的数据保持时间，数据保持时间可达85度下保持10年。另外，本发明的方案具有工艺复杂度较低、工艺成本较低的优点。
本发明授权一种非易失性存储器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种非易失性存储器，其特征在于，包括： 衬底； 浮栅结构，位于所述衬底上，所述浮栅结构包括自下而上依次堆叠的栅介质层与多晶硅层，所述浮栅结构还包括位于所述栅介质层及所述多晶硅层侧面的侧墙； 硅化阻挡层，位于所述衬底上并覆盖所述浮栅结构，所述硅化阻挡层的厚度大于100nm并小于或等于130nm； 孔刻蚀阻挡层，位于所述衬底上并覆盖所述硅化阻挡层； 所述非易失性存储器包括硅化区域，所述硅化阻挡层围绕于所述硅化区域四周，所述孔刻蚀阻挡层中设有位于所述硅化区域的接触孔，所述接触孔的边界与所述硅化区域四周的所述硅化阻挡层的边界之间的间距大于0.15μm； 其中，所述非易失性存储器采用浮栅存储电荷的机制； 所述硅化阻挡层的材质选用氧化硅，所述孔刻蚀阻挡层的材质选用氮化硅、氮氧化硅或氮氧化硅与氮化硅的复合结构，所述侧墙选用氧化硅-氮化硅-氧化硅复合结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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