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龙图腾网获悉深圳真茂佳半导体有限公司申请的专利双面散热的MOSFET封装结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113451244B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110859933.6，技术领域涉及：H01L23/367；该发明授权双面散热的MOSFET封装结构及其制造方法是由谢文华;任炜强设计研发完成，并于2021-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本双面散热的MOSFET封装结构及其制造方法在说明书摘要公布了：涉及一种双面散热的MOSFET封装结构及其制造方法，结构包括芯片主体、第一散热载片、封装胶体及第二散热载片。芯片主体翻转并接合于第一散热载片上，芯片主体的源极垫与栅极垫分别导通到第一散热载片的源极岛与栅极岛；封装胶体形成在第一散热载片上；封装胶体开设有连通到漏极层的第一限位孔以及在漏极层以外的第二限位孔，连通到第一散热载片的漏极岛；第二散热载片翻转并贴合在封装胶体上，第二散热载片的第一漏极柱插接于第一限位孔，以导通漏极层与第二散热载片，第二漏极柱插接于第二限位孔，以导通第二散热载片与第一散热载片的漏极岛。本发明的双面散热MOSFET封装结构具有器件双面的热容量高、在瞬间大功率的冲击下温升低和芯片内晶体管不容易过热烧毁的效果。

本发明授权双面散热的MOSFET封装结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种双面散热的MOSFET封装结构，其特征在于，包括： 芯片主体，具有处理表面与相对的背面，所述处理表面上设置有源极垫与栅极垫，所述背面上设置有漏极层； 第一散热载片，供所述芯片主体以覆晶结合方式的翻转与接合，所述芯片主体的所述源极垫与所述栅极垫分别导通到所述第一散热载片的源极岛与栅极岛； 第一封装胶体，形成在所述第一散热载片上，以密封所述芯片主体；所述第一封装胶体开设有连通到所述漏极层的第一限位孔以及在所述漏极层以外的第二限位孔，所述第二限位孔连通到所述第一散热载片的漏极岛； 第二散热载片，以覆晶结合方式设置在所述第一封装胶体上，所述第二散热载片的内表面设置有相互导通的第一漏极柱与第二漏极柱，所述第二散热载片的内表面翻转朝向所述第一封装胶体，所述第一漏极柱插接于所述第一限位孔，以导通所述漏极层与所述第二散热载片；并且，所述第二漏极柱插接于所述第二限位孔，以导通所述第二散热载片与所述第一散热载片的所述漏极岛，所述第二散热载片的第二散热表面平行于封装底面，以焊料完成柱与孔底的连接；所述第二散热载片能作为封装与测试过程中的外置散热片也能作为封装结构成品的内置散热片； 其中，所述第一漏极柱与第二漏极柱的长度不同，所述第二漏极柱的长度大于所述第一漏极柱的长度，且所述第一漏极柱与第二漏极柱分别排列在所述第二散热载片内表面的个别阵列区域内，以形成所述芯片主体的隐藏识别编码；少部分的所述第一漏极柱不接合到所述芯片主体的漏极层，由电子流分布辨识出空连接的第一漏极柱，或者在安装所述第二散热载片之前确定哪一些所述第一限位孔是浮空连接。

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