南亚科技股份有限公司叶焕勇获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利半导体元件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114156174B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110880396.3，技术领域涉及：H01L21/308；该发明授权半导体元件的制备方法是由叶焕勇设计研发完成，并于2021-08-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体元件的制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体元件的制备方法。该半导体元件的制备方法包括提供一目标层；形成一第一硬遮罩层在该目标层上；形成多个第二硬遮罩层在该第一硬遮罩层上；执行一第一倾斜蚀刻制程在该第一硬遮罩层上，以形成多个第一开口在沿着该第一硬遮罩并邻近所述第二硬遮罩层的各第一侧处；以及执行一第二倾斜蚀刻制程在该第一硬遮罩层上，以形成多个第二开口在沿着该第一硬遮罩层并邻近所述第二硬遮罩层的各第二侧处。该第一倾斜蚀刻制程与该第二倾斜蚀刻制程使用所述第二硬遮罩层当作图案引导件，且该第一硬遮罩层通过所述第一开口与所述第二开口而转变成一图案化第一硬遮罩层。
本发明授权半导体元件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件的制备方法，包括： 提供一目标层； 形成一第一硬遮罩层在该目标层上； 形成多个第二硬遮罩层在该第一硬遮罩层上； 执行一第一倾斜蚀刻制程在该第一硬遮罩层上，以形成多个第一开口在沿该第一硬遮罩层并邻近所述第二硬遮罩层的各第一侧处；以及 执行一第二倾斜蚀刻制程在该第一硬遮罩层上，以形成多个第二开口在沿该第一硬遮罩层并邻近所述第二硬遮罩层的各第二侧处； 其中，该第一倾斜蚀刻制程与该第二倾斜蚀刻制程使用所述第二硬遮罩层当作图案引导件，且该第一硬遮罩层通过所述第一开口与所述第二开口而转变成一图案化第一硬遮罩层； 其中所述第二硬遮罩层的一宽度对在相邻对的第二硬遮罩层之间的一水平距离的一比率是为1∶2。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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