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龙图腾网获悉上海理工大学申请的专利一种用于细胞电穿孔的新型宽窄脉冲结合的高压脉冲发生器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113437951B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110885515.4，技术领域涉及：H03K3/57；该发明授权一种用于细胞电穿孔的新型宽窄脉冲结合的高压脉冲发生器是由姜松;张旺;饶俊峰;王永刚;李孜设计研发完成，并于2021-08-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于细胞电穿孔的新型宽窄脉冲结合的高压脉冲发生器在说明书摘要公布了：本发明提供一种用于细胞电穿孔的新型宽窄脉冲结合的高压脉冲发生器，包括谐振电源、高频变压器、整流电路、驱动控制模块以及脉冲发生电路，由于使用了谐振充电的方式，因此与传统的细胞电穿孔电源相比提高了充电效率；由于具有高频变压器，因此输出电压幅值高；由于驱动控制模块能够改变脉冲发生电路的工作模式，因此该高压脉冲发生器能够同时输出高压窄脉冲以及低压宽脉冲。应用于细胞电穿孔中时，与只采用高压窄脉冲或低压宽脉冲的脉冲发生器相比，该高压脉冲发生器的作用极大降低了细胞存活率，增大了细胞消融面积。此外，本发明的高压脉冲发生器还具有控制简单、结构紧凑的优点。

本发明授权一种用于细胞电穿孔的新型宽窄脉冲结合的高压脉冲发生器在权利要求书中公布了：1.一种用于细胞电穿孔的新型宽窄脉冲结合的高压脉冲发生器，其特征在于，包括： 谐振电源； 高频变压器，用于对所述谐振电源进行升压以及隔离，得到高压交流电； 整流电路，用于将所述高压交流电转换为高压直流电； 脉冲发生电路，用于产生具有特定电压幅值与电压脉宽的方波脉冲；以及 驱动控制模块，用于使所述脉冲发生电路同时输出高压窄方波脉冲以及低压宽方波脉冲，采用光纤隔离的同步驱动方式， 其中，所述谐振电源与所述高频变压器的原边电连接， 所述高频变压器的副边与所述整流电路电连接， 所述整流电路与所述脉冲发生电路电连接， 所述驱动控制模块与所述脉冲发生电路电连接， 所述脉冲发生电路包含储能电容C1、C2、C3、C4，半导体开关S1、S2、S3、S4，二极管D1、D2、D3、D4、D5、D6以及负载Rf，所述储能电容C1的正极连接到所述储能电容C2的负极，所述储能电容C1的负极连接到所述负载Rf的一端；所述储能电容C2的正极连接到所述半导体开关S1的一端；所述半导体开关S1的另一端连接到二极管D1的阳极；所述储能电容C2、所述半导体开关S1以及所述二极管D1串联后与所述二极管D2并联，所述二极管D2的阳极连接到所述储能电容C2的负极，所述二极管D2的阴极连接到所述二极管D1的阴极；所述二极管D1的阴极连接到所述半导体开关S2的一端；所述半导体开关S2的另一端连接到所述二极管D4的阳极；所述二极管D4的阴极连接到所述储能电容C3的负极；所述半导体开关S2、所述二极管D4以及所述储能电容C3串联后与所述二极管D3并联，所述二极管D3的阳极连接到所述半导体开关S2的一端，所述二极管D3的阴极连接到所述储能电容C3的正极；所述储能电容C3的正极连接到所述储能电容C4的负极；所述储能电容C4的正极连接到所述半导体开关S3的一端；所述半导体开关S3的另一端连接到所述二极管D5的阳极；所述半导体开关S4的一端连接到所述储能电容C4的负极，所述半导体开关S4的另一端连接到所述二极管D6的阳极；所述二极管D6的阴极连接到所述二极管D5的阴极；所述储能电容C4、所述半导体开关S3以及所述二极管D5串联后与串联的所述半导体开关S4和所述二极管D6并联，并联后连接到所述负载Rf的另一端， 所述脉冲发生电路通过所述储能电容的充放电来产生所述方波脉冲。

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