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龙图腾网获悉无锡华润上华科技有限公司申请的专利一种半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115706047B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110934100.1，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权一种半导体结构及其制作方法是由张文文;黄仁瑞;方勇智;朱文明设计研发完成，并于2021-08-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体结构及其制作方法，该制作方法包括形成硬掩模层、刻蚀第一沟槽、形成第一绝缘层、刻蚀第三沟槽、形成第二绝缘层及平坦化所述第二绝缘层的步骤，其中，刻蚀第三沟槽前，于形成第一绝缘层之后去除第二隔离层，使第一绝缘层突出于第一隔离层的部分构成凸起部，并形成覆盖第一隔离层的上表面及凸起部的第四隔离层，且第四隔离层在相邻两个突起部之间形成第二沟槽，再于第二沟槽中填充第二光刻胶层，并利用自对准浅隔离绝缘沟槽刻蚀工艺进行第三沟槽的刻蚀。本发明通过重新设计刻蚀浅隔离绝缘沟槽前的工艺步骤，省去了制作形成浅隔离绝缘沟槽的光罩及光罩的对位步骤，降低了制作半导体绝缘层的工艺复杂程度及制作成本。

本发明授权一种半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供一衬底，形成硬掩模层于所述衬底上，所述硬掩模层自下而上依次包括第一隔离层、第二隔离层及第三隔离层； 形成第一光刻胶层于所述硬掩模层的上表面，并图案化所述硬掩模层； 去除所述第一光刻胶层，基于图案化的所述硬掩模层形成多个第一沟槽于所述衬底中； 形成第一绝缘层，所述第一绝缘层填充进所述第一沟槽中并覆盖所述硬掩模层的上表面，对所述第一绝缘层进行平坦化直至暴露出所述第二隔离层，去除所述第二隔离层，所述第一绝缘层突出于所述第一隔离层的部分构成凸起部； 形成第四隔离层，所述第四隔离层覆盖所述第一隔离层的上表面及所述凸起部，且所述第四隔离层在相邻两个所述凸起部之间形成第二沟槽； 于所述第二沟槽中填充第二光刻胶层，并基于所述第二光刻胶层自对准形成第三沟槽，所述第三沟槽在垂直方向上贯穿所述第四隔离层、所述第一隔离层，并延伸进所述衬底中，所述第三沟槽的底面高于所述第一沟槽的底面，且所述第三沟槽的底面暴露出所述第一绝缘层； 形成第二绝缘层于所述第三沟槽中以构成浅沟槽隔离结构，所述第一沟槽中的所述第一绝缘层构成深沟槽隔离结构。

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