美光科技公司R·A·本森获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利形成微电子装置的方法以及相关微电子装置、存储器装置和电子系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114078784B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110947592.8，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权形成微电子装置的方法以及相关微电子装置、存储器装置和电子系统是由R·A·本森;D·科隆博;李岩;T·B·麦克丹尼尔;V·奈尔;S·博尔萨里设计研发完成，并于2021-08-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本形成微电子装置的方法以及相关微电子装置、存储器装置和电子系统在说明书摘要公布了：本申请涉及形成微电子装置的方法以及相关微电子装置、存储器装置和电子系统。形成微电子装置的方法包括在导电屏蔽结构和水平邻近于所述导电屏蔽结构的第一介电结构上方形成导电屏蔽材料。第二介电结构形成在第一介电结构上且水平邻近于所述导电屏蔽材料。图案化所述导电屏蔽材料和所述第二介电结构以形成在第一水平方向上平行延伸的鳍片结构。所述鳍片结构中的每一个包括：两个介电末端结构，其与所述第二介电结构的剩余部分成一体；以及额外导电屏蔽结构，其在所述第一水平方向上插入在所述两个介电末端结构之间。导电线形成为在所述第一水平方向上平行延伸，且在与所述第一水平方向正交的第二水平方向上与所述鳍片结构水平交替。
本发明授权形成微电子装置的方法以及相关微电子装置、存储器装置和电子系统在权利要求书中公布了：1.一种形成微电子装置的方法，其包括： 在导电屏蔽结构和水平邻近于所述导电屏蔽结构的第一介电结构中的每一个上方形成导电屏蔽材料； 形成处于第一介电结构上且水平邻近于所述导电屏蔽材料的第二介电结构； 图案化所述导电屏蔽材料和所述第二介电结构以形成在第一水平方向上彼此平行延伸的鳍片结构，所述鳍片结构中的每一个包括： 两个介电末端结构，其与所述第二介电结构的剩余部分成一体；以及 额外导电屏蔽结构，其在所述第一水平方向上插入在所述两个介电末端结构之间；且 形成第一导电线，所述第一导电线在所述第一水平方向上彼此平行延伸且在与所述第一水平方向正交的第二水平方向上与所述鳍片结构水平交替。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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