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龙图腾网获悉比亚迪股份有限公司申请的专利双重移相控制方法、存储介质、双向DCDC控制器及变换器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115733364B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111011915.9，技术领域涉及：H02M3/335；该发明授权双重移相控制方法、存储介质、双向DCDC控制器及变换器是由尹韶文;尹雪芹;尹继波;罗峰设计研发完成，并于2021-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本双重移相控制方法、存储介质、双向DCDC控制器及变换器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种双重移相控制方法、存储介质、双向DCDC控制器及变换器。其中，方法包括：获取双向DCDC变换电路的实际输出电压和目标输出电压；根据实际输出电压和目标输出电压获取内移相占空比，内移相占空比用于指示高压超前侧的桥间移相占空比；获取预先确定的外移相占空比，外移相占空比用于指示高压超前侧与低压滞后侧之间的桥间移相占空比；根据内移相占空比和外移相占空比对双向DCDC变换电路进行控制。该方法可以使得变换电路具有较小的电流应力，可以实现软开关特性，降低开关损耗，同时需要采集的信号少，运算量小，可以满足实时性要求，且具有较高的控制精度，同时无需涉及移相电感、开关频率等参数，对参数的依赖性小，鲁棒性高。

本发明授权双重移相控制方法、存储介质、双向DCDC控制器及变换器在权利要求书中公布了：1.一种双向DCDC变换电路的双重移相控制方法，其特征在于，所述双向DCDC变换电路包括高压超前侧和低压滞后侧，所述方法包括： 获取所述双向DCDC变换电路的实际输出电压和目标输出电压； 根据所述实际输出电压和所述目标输出电压获取内移相占空比，所述内移相占空比用于指示所述高压超前侧的桥间移相占空比，其中，所述根据所述实际输出电压和所述目标输出电压获取内移相占空比，包括：获取所述目标输出电压与所述实际输出电压之间的电压差值；对所述电压差值通过PI控制器进行PI调节得到所述内移相占空比，所述PI控制器的输入为所述电压差值，输出为所述内移相占空比； 对电压差值进行PI调节得到内移相占空比，包括：获取上一控制时刻的内移相占空比；若上一控制时刻的内移相占空比大于上限值，则对负的电压差值进行PI调节得到当前控制时刻的内移相占空比；若上一控制时刻的内移相占空比小于下限值，则对正的电压差值进行PI调节得到当前控制时刻的内移相占空比； 获取预先确定的外移相占空比，所述外移相占空比用于指示所述高压超前侧与所述低压滞后侧之间的桥间移相占空比，其中，所述预先确定的外移相占空比为所述双向DCDC变换电路的传输功率达到最大时的外移相占空比； 根据所述内移相占空比和所述外移相占空比对所述双向DCDC变换电路进行控制； 所述方法还包括： 根据所述内移相占空比对所述预先确定的外移相占空比进行修正； 所述根据所述内移相占空比对所述预先确定的外移相占空比进行修正，包括： 获取所述内移相占空比与所述预先确定的外移相占空比之间的占空比差值； 对所述占空比差值进行滑模控制得到所述外移相占空比的修正量； 将所述修正量叠加至所述预先确定的外移相占空比得到修正后的外移相占空比。

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