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龙图腾网获悉三菱电机株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114335137B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111113746.X，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体装置是由工藤和树;藤井秀纪;高桥彻雄设计研发完成，并于2021-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：得到降低了RC‑IGBT的二极管区域的恢复损耗的半导体装置。本发明涉及的半导体装置为IGBT区域10和二极管区域20相邻地设置的RC‑IGBT。在二极管区域20中设置：p型阳极层25，其与n‑型漂移层1相比设置于第1主面侧；p型接触层24，其设置于p型阳极层25的主面侧且设置于半导体基板的第1主面侧的表层，该p型接触层24与发射极电极6连接；以及n+型阴极层26，其设置于半导体基板的第2主面侧的表层。p型接触层24含有铝而作为p型杂质，p型接触层24的厚度比在IGBT区域10设置的n+型源极层13的厚度小。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其在第1主面和与所述第1主面相反侧的第2主面之间具有n型的漂移层的半导体基板，相邻地设置绝缘栅型双极晶体管区域和二极管区域，在所述半导体基板的所述第1主面之上设置有发射极电极， 该半导体装置的特征在于， 在所述绝缘栅型双极晶体管区域中设置： p型的基极层，其与所述漂移层相比设置于所述第1主面侧； n型的源极层，其选择性地设置于所述基极层的所述第1主面侧且选择性地设置于所述半导体基板的所述第1主面侧的表层； p型的第1接触层，其设置于所述基极层的所述第1主面侧且设置于所述半导体基板的所述第1主面侧的表层中的没有设置所述源极层的区域，该p型的第1接触层与所述发射极电极连接； 栅极沟槽绝缘膜，其设置于将所述基极层贯穿而到达所述漂移层的沟槽的内表面； 栅极沟槽电极，其经由所述栅极沟槽绝缘膜而设置于所述沟槽内；以及 p型的集电极层，其设置于所述半导体基板的所述第2主面侧的表层， 在所述二极管区域中设置： p型的阳极层，其与所述漂移层相比设置于所述第1主面侧； p型的第2接触层，其设置于所述阳极层的所述第1主面侧且设置于所述半导体基板的所述第1主面侧的表层，该p型的第2接触层与所述发射极电极连接；以及 n型的阴极层，其设置于所述半导体基板的所述第2主面侧的表层， 所述第2接触层含有铝而作为p型杂质， 所述第2接触层的厚度小于或等于所述源极层的厚度的12。

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