江苏第三代半导体研究院有限公司王国斌获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏第三代半导体研究院有限公司申请的专利提高面电子浓度的氮化镓晶体管外延结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114093757B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111196884.9，技术领域涉及：H01L21/20；该发明授权提高面电子浓度的氮化镓晶体管外延结构及其制备方法是由王国斌;刘宗亮设计研发完成，并于2021-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本提高面电子浓度的氮化镓晶体管外延结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了提高面电子浓度的氮化镓晶体管外延结构及其制备方法，包括以下步骤，在异质衬底上依次沉积多层组分渐变的ScAlN层作为缓冲层，通过对此缓冲层进行高温再结晶，形成成核中心，再进行GaN材料的三维生长、三维转二维的合并生长，构成底层结构，在其上进行高阻GaN材料、GaN沟道层和ScAlN势垒层以及GaN帽层等外延结构生长。本发明的有益效果：样品的底层采用晶格匹配的ScAlN缓冲层过渡，使GaN体材料层晶体质量更高、表面更平整；同时，在生长ScAlN材料势垒层前，底层的缓冲层能够进行二次释放应力，使得整个外延结构处在零应力状态下，提高了各层间的界面质量，并使晶体管在GaNScAlN极化作用下，拥有更高的面电子浓度，适合声光器件的应用。
本发明授权提高面电子浓度的氮化镓晶体管外延结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.提高面电子浓度的氮化镓晶体管外延结构制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在反应腔压力为200torr、温度为700℃的条件下，在异质衬底上依次沉积多层组分渐变的ScAlN层作为缓冲层；升高压力至500torr、升高温度至1070℃，通过对所述缓冲层进行高温再结晶，形成成核中心；然后降温到1040℃，进行GaN材料的三维生长；降低压力至200torr、升高温度至1090℃进行三维转二维的合并生长，构成GaN体材料层，以所述GaN体材料层作为底层结构然后再在其上依次生长高阻GaN材料层、GaN沟道层、ScAlN势垒层以及GaN帽层。
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