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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116031207B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111257056.1，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体结构及半导体结构的形成方法是由王楠设计研发完成，并于2021-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供衬底，包括有源区和隔离区；在衬底上形成栅极结构、侧墙结构和第一介质层，侧墙结构位于栅极结构侧壁且都位于第一介质层内，侧墙结构包括牺牲层；在有源区上形成第一导电层；在第一导电层上形成第二导电层，在部分栅极结构上形成栅极导电层，第二导电层和栅极导电层之间具有初始第一开口；去除牺牲层形成第一开口，第一开口位于第二导电层和栅极导电层之间、以及第一导电层和栅极结构之间；去除部分隔离区上的栅极结构和侧墙结构在第一介质层内形成凹槽；在衬底上形成第二介质层，第二介质层封闭第一开口顶部形成第一密闭腔，第二介质层封闭凹槽形成隔离结构。所形成的半导体结构性能优化。

本发明授权半导体结构及半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底包括相邻的有源区和隔离区； 在衬底上形成栅极结构、侧墙结构和第一介质层，所述栅极结构自有源区延伸至隔离区，所述侧墙结构位于栅极结构侧壁，所述侧墙结构和栅极结构位于第一介质层内，所述侧墙结构包括牺牲层； 在有源区上形成第一导电层，所述第一导电层位于栅极结构两侧的第一介质层内，所述侧墙结构位于栅极结构和第一导电层之间； 在第一导电层上形成第二导电层，在部分栅极结构上形成栅极导电层，所述第二导电层和栅极导电层之间具有初始第一开口，所述初始第一开口暴露出有源区和隔离区上的侧墙结构顶部表面； 去除初始第一开口暴露出的牺牲层，形成第一开口，所述第一开口位于所述第二导电层和栅极导电层之间、以及位于所述第一导电层和栅极结构之间； 去除所述牺牲层之后，去除部分隔离区上的栅极结构和侧墙结构，在第一介质层内形成凹槽，所述凹槽沿与栅极结构延伸方向垂直的方向贯穿所述栅极结构； 在衬底上形成第二介质层，所述第二介质层封闭所述第一开口顶部，在第一导电层和栅极结构之间、以及第二导电层和栅极导电层之间形成第一密闭腔，所述第二介质层封闭所述凹槽形成隔离结构。

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