中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司王楠获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116053275B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111264296.4，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权半导体结构及其形成方法是由王楠设计研发完成，并于2021-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供衬底，所述衬底上具有2个相互分立的鳍部，所述2个鳍部沿第一方向延伸且沿第二方向排列，所述鳍部包括在衬底上重叠的若干层牺牲层、以及相邻两层牺牲层之间的水平鳍，所述2个鳍部之间具有隔离开口；在所述隔离开口内形成初始介电墙；在衬底上形成横跨所述2个鳍部和初始介电墙的栅极；刻蚀所述2个鳍部，在栅极两侧的各鳍部内形成源漏开口；减薄相邻源漏开口之间暴露的初始介电墙，以形成介电墙；在形成所述介电墙之后，在所述源漏开口内形成源漏结构。从而，在确保半导体结构的可靠性的同时，提高了半导体结构的性能。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底； 位于衬底上的介电墙，所述介电墙沿第一方向延伸； 在第二方向上，分别位于介电墙两侧的侧壁面的若干水平鳍，所述水平鳍平行于衬底表面，若干水平鳍之间相互分立，并且，介电墙每侧的侧壁面上的若干水平鳍沿衬底表面的法线方向堆叠，所述第一方向与第二方向互相垂直； 沿第二方向横跨所述介电墙和若干水平鳍的栅极结构，并且，所述栅极结构沿衬底表面的法线方向横跨若干水平鳍； 位于若干水平鳍内的源漏结构，并且，所述源漏结构在第一方向上位于栅极结构的两侧，所述源漏结构在第二方向上位于介电墙的两侧； 在所述第二方向上，相邻水平鳍之间的介电墙具有第一厚度，相邻源漏结构之间的介电墙具有第二厚度，并且，所述第二厚度小于所述第一厚度； 其中，所述介电墙包括：底层介电墙、以及位于底层介电墙顶面的顶层介电墙，所述底层介电墙的顶面高于所述水平鳍表面，所述底层介电墙的材料与顶层介电墙的材料不同，源漏结构之间的底层介电墙具有所述第二厚度，并且，所述顶层介电墙的厚度大于所述第二厚度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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