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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116072726B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111296337.8，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体结构及其形成方法是由涂武涛;邱晶;王彦;金吉松设计研发完成，并于2021-11-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：位于所述第一隔离结构表面的层间介质层和所述层间介质层内的第一开口，所述层间介质层位于所述栅极侧壁，且所述第一开口暴露出所述第一区上的所述第一隔离结构顶部表面和第一区上的所述栅极侧壁；位于所述第一区上的所述第一隔离结构中第二开口，所述第二开口沿所述第二方向延伸；位于所述第二开口与所述栅极之间的第三开口，所述第三开口与所述第二开口、所述第一开口相互连通；位于所述第一开口内的第二隔离结构，所述第二隔离结构封闭所述第二开口形成第一空隙，一方面，减少了所述第二区上的所述鳍部变形的情况，另一方面，所述第一空隙具有较低的介电常数，有利于降低不同器件之间的寄生电容。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底包括基底，所述基底包括沿第一方向排布的第一区和第二区，且所述第一区与所述第二区相邻，所述衬底还包括位于所述第二区上的若干鳍部，所述鳍部平行于第二方向，且沿第一方向排布，所述第二方向与所述第一方向垂直； 位于所述基底上的第一隔离结构，所述第一隔离结构位于所述鳍部侧壁，且所述鳍部顶部表面高于所述第一隔离结构顶部表面； 位于所述第一区和所述第二区上，且横跨所述若干鳍部的若干栅极，所述若干栅极位于部分所述鳍部顶部和侧壁表面，且位于部分所述第一隔离结构表面； 位于所述第一隔离结构表面的层间介质层和所述层间介质层内的第一开口，所述层间介质层位于所述栅极侧壁，且所述第一开口暴露出所述第一区上的所述第一隔离结构顶部表面和第一区上的所述栅极侧壁； 位于所述第一区上的所述第一隔离结构中的第二开口，所述第二开口沿所述第二方向延伸，所述若干栅极位于部分所述第二开口上方； 位于部分所述第二开口上的第三开口，所述第三开口沿所述第二方向穿过所述若干栅极，且与所述第一开口相互连通； 位于所述第一开口内的第二隔离结构，所述第二隔离结构封闭所述第二开口和所述第三开口形成空隙。

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