上海华力集成电路制造有限公司俞海滨获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利OPC模型优化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114077156B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111399596.3，技术领域涉及：G03F1/36；该发明授权OPC模型优化方法是由俞海滨;魏娟;于世瑞设计研发完成，并于2021-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本OPC模型优化方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种光学邻近效应初始模型的确定方法。方法包括：获取掩模板修正数据文件，和覆盖在半导体特定层上光阻层的光阻信息；依据光阻信息，生成若干组光学模型；通过各组光学模型，对掩模板修正数据文件中的密集图形，在光阻层进行模拟曝光，获得与各组光学模型对应的若干组成像光强分布图；确定各组成像光强分布图中的最佳成像光强分布图；基于每组光学模型中的最佳成像光强分布图，确定各组光学模型中与最佳成像光强分布图对应的优选光学模型；基于各个优选光学模型和掩模板修正数据文件，生成OPC化模型；分别计算各个OPC优化模型的评估参数，确定评估参数最优的OPC优化模型为最优OPC模型。
本发明授权OPC模型优化方法在权利要求书中公布了：1.一种OPC模型优化方法，其特征在于，所述OPC模型优化方法包括： 步骤S1：获取对应半导体器件特定层的掩模板修正数据文件，和覆盖在所述半导体器件特定层上光阻层的光阻信息，所述光阻信息包括光阻的深度信息； 步骤S2：依据所述光阻信息，生成若干组光学模型，每组光学模型中包括多个光学模型； 步骤S3：通过各组光学模型，对所述掩模板修正数据文件中的密集图形，在所述光阻层进行模拟曝光，获得与各组光学模型对应的若干组成像光强分布图；每组成像光强分布图包括多个成像光强分布图； 步骤S4：确定各组成像光强分布图中的最佳成像光强分布图； 步骤S5：基于每组光学模型中的最佳成像光强分布图，确定各组光学模型中与所述最佳成像光强分布图对应的优选光学模型； 步骤S6：基于各个优选光学模型和掩模板修正数据文件，生成OPC优化模型； 步骤S7：分别计算各个所述OPC优化模型的评估参数，确定所述评估参数最优的OPC优化模型为最优OPC模型。
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