财团法人工业技术研究院唐敏注获国家专利权
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龙图腾网获悉财团法人工业技术研究院申请的专利磁场结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114660515B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111534761.1，技术领域涉及：G01R33/12；该发明授权磁场结构是由唐敏注;汤士源;黄玉婷设计研发完成，并于2021-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁场结构在说明书摘要公布了：本发明公开一种磁场结构，包括：两个磁极，其设于一导磁回路上且于该两个磁极之间形成容置一待测元件的空间；磁场源，用以于该空间中提供一磁场；以及光学定位元件，设于该两个磁极的其中一者中，用以对该待测元件进行光学定位。本发明的磁场结构可同时提供强磁场及精密定位的功能。
本发明授权磁场结构在权利要求书中公布了：1.一种磁场结构，其特征在于，包括： 两个磁极，其设于导磁回路上，且彼此相对设置以于该两个磁极之间形成有用以容置待测元件的空间； 磁场源，其用以于该空间中提供磁场；以及 光学定位元件，其设于该两个磁极的其中一者中，用以对该待测元件进行光学定位； 其中，该两个磁极的其中一者具有容纳孔，用以容设该光学定位元件。
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