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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116344451B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111594658.6，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权半导体结构及其形成方法是由张恩宁;付宇鑫;赵秦亿;张海洋设计研发完成，并于2021-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，基底包括第一隔离区、器件区和第二隔离区，第一隔离区和第二隔离区宽度不同；在器件区上形成第一初始掩膜结构、若干第二掩膜结构和第三初始掩膜结构，第一初始掩膜结构与第一隔离区相邻，第三初始掩膜结构与第二隔离区相邻，若干第二掩膜结构位于第一初始掩膜结构和第三初始掩膜结构之间；进行若干次循环处理，以减小第一初始掩膜结构的宽度和第三初始掩膜结构的宽度的宽度差，形成第一掩膜结构和第三掩膜结构；以第一掩膜结构、若干第二掩膜结构和第三掩膜结构为掩膜，刻蚀第一隔离区、器件区和第二隔离区，形成衬底、以及位于衬底上的若干鳍部。从而，可形成电学特性均一、稳定的半导体结构。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底包括沿第一方向排列的第一隔离区、器件区和第二隔离区，所述第一隔离区和第二隔离区在所述第一方向上的宽度不同； 在所述器件区上形成相互分立的第一初始掩膜结构、若干第二掩膜结构和第三初始掩膜结构，所述第一初始掩膜结构与第一隔离区相邻，所述第三初始掩膜结构与第二隔离区相邻，若干第二掩膜结构位于第一初始掩膜结构和第三初始掩膜结构之间； 进行若干次循环处理，以减小第一初始掩膜结构的宽度和第三初始掩膜结构的宽度的宽度差，形成第一掩膜结构和第三掩膜结构； 以所述第一掩膜结构、若干第二掩膜结构和第三掩膜结构为掩膜，刻蚀第一隔离区、器件区和第二隔离区，形成衬底、以及位于衬底上的若干鳍部； 其中，每次循环处理的方法包括：在所述第一隔离区、器件区、第二隔离区、第一初始掩膜结构、若干第二掩膜结构和第三初始掩膜结构的表面形成牺牲膜；刻蚀所述牺牲膜、第一初始掩膜结构和第三初始掩膜结构，直至暴露出所述第二掩膜结构的侧壁表面。

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