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龙图腾网获悉广州粤芯半导体技术有限公司申请的专利半导体器件的缺陷检测方法及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114361057B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111619470.2，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权半导体器件的缺陷检测方法及电子设备是由李鸿智;陈昌言设计研发完成，并于2021-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件的缺陷检测方法及电子设备在说明书摘要公布了：本发明提供了一种快速多点检测半导体器件的金属硅化物层中是否存在缺陷的缺陷检测方法应用于半导体领域。其通过将现有的用于检测金属硅化物层缺陷问题的TEM检测换成YE在线检测，从而避免了TEM检测方法一次性只可以对晶圆中的一个芯片的一个点或多个点进行检测，而无法对同一片晶圆上的多个芯片上的多个点同时进行检测的问题。由于YE在线检测是使用芯片到芯片的检测方法，然后，在将多个芯片的检测图像进行对比，并将存在差异的地方确定为异常位置。因此，利用本发明提供的检测方法避免了TEM检测需要对晶圆进行切片，制成晶圆样片之后，才可对该样片进行检测，引起的该样片无法继续进行后续实验，不经济实惠，同时也不能保持测试的单一变量的问题。

本发明授权半导体器件的缺陷检测方法及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的缺陷检测方法，其特征在于，包括如下步骤： 提供一晶圆，所述晶圆包含多个芯片，每个所述芯片上形成有堆叠在其有源区相应位置上的金属硅化物层； 利用YE在线检测机台中所设定的YE抽样率，对所述晶圆进行抽样，得到缺陷检测样本；其中，利用YE在线检测机台中所设定的YE抽样率，对所述晶圆进行抽样，得到缺陷检测样本的步骤包括：从所述晶圆中选取预设数目个芯片作为待检测芯片集，并将从所述待检测芯片集中选取的至少一个芯片的选定区域作为该芯片的目标检测区域；根据所述芯片的目标检测区域的位置信息和所述待检测芯片集中各芯片之间的预设位置关系，确定所述待检测芯片集中剩余各芯片的目标检测区域的位置信息；将所述待检测芯片集中的各芯片以及各芯片的目标检测区域作为所述缺陷检测样本； 利用所述YE在线检测机台对所述缺陷检测样本进行YE在线缺陷检测，分别生成所述缺陷检测样本的SEM图像和EDX元素分析图；其中，利用所述YE在线检测机台对所述缺陷检测样本进行YE在线缺陷检测的步骤包括：利用所述YE在线检测机台，依次对所述缺陷检测样本中的每个芯片的目标检测区域进行电子扫描，以得到每个所述芯片的目标检测区域的SEM图像；利用所述YE在线检测机台中的EDX图谱仪，依次对所述缺陷检测样本中的每个芯片的目标检测区域进行电子扫描，以得到每个所述芯片的目标检测区域的EDX元素分析图； 根据所述SEM图像与参考SEM图像的对比关系，和所述EDX元素分析图与参考EDX元素分析图的对比关系，确定所述缺陷检测样本中各芯片的金属硅化物层是否存在缺陷；根据所述SEM图像与参考SEM图像的对比关系，和所述EDX元素分析图与参考EDX元素分析图的对比关系，确定所述缺陷检测样本中各芯片的金属硅化物层是否存在缺陷的步骤包括：将每个所述芯片的目标检测区域的SEM图像与所述参考SEM图像进行比较，并挑选出所有所述芯片的目标检测区域的SEM图像与所述参考SEM图像不一致的芯片；针对每一所述挑选出的芯片，将该挑选出的芯片的EDX元素分析图与所述参考EDX元素分析图进行比较，并将挑选出的芯片的EDX元素分析图中的金属含量低于预设阈值的芯片，确定为金属硅化物层存在缺陷的芯片。

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