苏州科技大学;苏州窄带半导体科技有限公司程新利获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州科技大学;苏州窄带半导体科技有限公司申请的专利一种碲化铋基纳米管的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114497337B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111660363.4，技术领域涉及：H10N10/852；该发明授权一种碲化铋基纳米管的制备方法是由程新利;刘宏设计研发完成，并于2021-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碲化铋基纳米管的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种碲化铋基纳米管的制备方法，包括以下步骤：S1、在衬底上设置模板，然后在所述衬底上沉积多个铋线；S2、移除所述模板得到具有衬底支撑的铋线，并将所述具有衬底支撑的铋线置于硝酸中浸泡，减少所述铋线的线径且使得所述铋线线径达纳米级；S3、在所述具有衬底支撑的铋线上沉积碲化铋包层，然后通过真空退火处理得到具有衬底支撑的多个中空的碲化铋基纳米管。本发明利用沉积技术结合模板控制及真空退火处理能够制备得到规则排列的碲化铋基纳米管，相比现有的碲化铋基纳米管的制备方法相比，制备方法简单，成本低，且获得的碲化铋基纳米管的结构均一性好。
本发明授权一种碲化铋基纳米管的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种碲化铋基纳米管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、在衬底上设置模板，然后在所述衬底上沉积多个铋线； S2、移除所述模板得到具有衬底支撑的铋线，并将所述具有衬底支撑的铋线置于硝酸中浸泡，减少所述铋线的线径且使得所述铋线线径达纳米级； S3、在所述具有衬底支撑的铋线上沉积碲化铋包层，然后通过真空退火处理得到具有衬底支撑的多个中空的碲化铋基纳米管。
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