杭州广立微电子股份有限公司郭胜利获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州广立微电子股份有限公司申请的专利一种用于FinFET工艺中监测Fin间距飘移的电学测试结构和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114582837B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111668933.4，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权一种用于FinFET工艺中监测Fin间距飘移的电学测试结构和方法是由郭胜利设计研发完成，并于2021-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于FinFET工艺中监测Fin间距飘移的电学测试结构和方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于FinFET工艺中监测Fin间距飘移的电学测试结构和测试方法，所述电学测试结构形成有至少两根Fin，其中一根为非待测Fin记为Fin0，在剩下的Fin中选择至少一根为待测Fin记为Finn；Finn和Fin0平行排列，Finn与Fin0之间具有一定距离，构成第一间距；其中，n为正整数；至少一个第一连接部记为Link_A、至少一个第二连接部记为Link_B；Link_A与Finn电连接，Link_B与Fin0电连接。本发明提供的电学测试结构简单、易于制造，适用于FinFET工艺生产过程中，对Fin制造过程中产生的间距飘移（PitchWalking）问题进行监控，可以及时发现工艺生产缺陷并有效修正半导体生产过程，提高产品的成品率。
本发明授权一种用于FinFET工艺中监测Fin间距飘移的电学测试结构和方法在权利要求书中公布了：1.一种用于FinFET工艺中监测Fin间距飘移的电学测试结构，其特征在于，形成有： 至少两根Fin，其中一根为非待测Fin记为Fin0，在剩下的Fin中选择至少一根为待测Fin记为Finn；Finn和Fin0平行排列，Finn与Fin0之间具有一定距离，构成第一间距；其中，n为正整数； 至少一个第一连接部记为Link_A、至少一个第二连接部记为Link_B；Link_A与Finn电连接，Link_B与Fin0电连接。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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