长江存储科技有限责任公司刘红涛获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利非易失性存储器及其控制方法、存储系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114360615B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210028399.9，技术领域涉及：G11C16/34；该发明授权非易失性存储器及其控制方法、存储系统是由刘红涛;赵向南;贾建权;蒋颂敏;崔莹设计研发完成，并于2022-01-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本非易失性存储器及其控制方法、存储系统在说明书摘要公布了：本申请提供了一种非易失性存储器及其控制方法、存储系统，所述非易失性存储器包括多个存储串，每个所述存储串包括多个存储单元组，每个所述存储单元组包括多个存储单元，所述方法包括：对所述存储串的部分存储单元组执行擦除再编程操作，其中，所述执行擦除再编程操作的存储单元组为第一存储单元组，所述存储串中未执行擦除再编程操作的存储单元组为第二存储单元组；以及在对选中的存储单元进行读操作时，对未选中的存储单元施加导通电压，其中，对所述第一存储单元组中的未选中的存储单元施加第一导通电压，对所述第二存储单元组中的未选中的存储单元施加第二导通电压，其中，所述第一导通电压大于所述第二导通电压。
本发明授权非易失性存储器及其控制方法、存储系统在权利要求书中公布了：1.一种非易失性存储器的控制方法，所述非易失性存储器包括多个存储串，每个所述存储串包括多个存储单元组，每个所述存储单元组包括多个存储单元，其特征在于，所述方法包括： 对所述存储串的部分存储单元组执行擦除再编程操作，其中，所述执行擦除再编程操作的存储单元组为第一存储单元组，所述存储串中未执行擦除再编程操作的存储单元组为第二存储单元组；以及 在对选中的存储单元进行读操作时，对未选中的存储单元施加导通电压，其中，对所述第一存储单元组中的未选中的存储单元施加第一导通电压，对所述第二存储单元组中的未选中的存储单元施加第二导通电压，其中，所述第一导通电压大于所述第二导通电压。
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