株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社中川裕治获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社申请的专利磁头和磁记录装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115472184B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210084245.1，技术领域涉及：G11B5/11；该发明授权磁头和磁记录装置是由中川裕治;成田直幸;高岸雅幸;前田知幸;永泽鹤美;山田健一郎;喜喜津哲设计研发完成，并于2022-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁头和磁记录装置在说明书摘要公布了：本发明提供能提高记录密度的磁头和磁记录装置。根据实施方式，磁头包含第1磁极、第2磁极、磁性元件和磁性部件。磁性元件设置于第1磁极与第2磁极之间并包含第1磁性层。磁性部件包含第1磁性部。从第1磁性部向磁性元件的第2方向与从第1磁极向第2磁极的第1方向相交叉。第1磁性部包含磁性材料。磁性材料包含第1材料、第2材料和第3材料中的至少任一方。第1材料包含从由Mn3Sn、Mn3Ge和Mn3Ga构成的群中选择的至少一个。第2材料包含从由包含Mn和Ni的立方晶或正方晶的化合物、包含γ相的Mn的立方晶合金、以及包含Fe的立方晶合金构成的群中选择的至少一个。第3材料包含反铁磁性体。
本发明授权磁头和磁记录装置在权利要求书中公布了：1.一种磁头，具有： 第1磁极； 第2磁极； 设置于所述第1磁极与所述第2磁极之间并包含第1磁性层的磁性元件；以及 包含第1磁性部的磁性部件，从所述第1磁性部向所述磁性元件的第2方向与从所述第1磁极向所述第2磁极的第1方向相交叉； 所述第1磁性部包含磁性材料，所述磁性材料包含第1材料、第2材料和第3材料中的至少任一方； 所述第1材料包含从由Mn3Sn、Mn3Ge和Mn3Ga构成的群中选择的至少一个； 第2材料包含从由包含Mn和Ni的立方晶或正方晶的化合物、包含γ相的Mn的立方晶合金、以及包含Fe的立方晶合金构成的群中选择的至少一个； 所述第3材料包含反铁磁性体， 所述磁头还具有多个端子； 经由所述多个端子的至少一部分而供给的元件电流沿着所述第1方向流过所述磁性元件； 经由所述多个端子的至少一部分而供给的第1磁性部电流沿着所述第1方向流过所述第1磁性部。
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