上海华力集成电路制造有限公司钱猛获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利一种浮栅型闪存器的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114497047B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210097233.2，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权一种浮栅型闪存器的制造方法是由钱猛;舒宇飞;熊凌昊;张磊;陈昊瑜设计研发完成，并于2022-01-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种浮栅型闪存器的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种浮栅型闪存器的制造方法，提供半导体结构，包括存储阵列以及与存储阵列处于相邻位置的逻辑区域；之后对存储阵列的硅进行回刻；生长栅极氧化物；沉积浮栅覆盖半导体结构；沉积氧化硅；之后去除逻辑区域的浮栅和氧化硅；沉积氮化硅覆盖存储阵列和逻辑区域；之后在存储阵列和逻辑区域分别形成STI并进行表面平坦化；去除氮化硅和氧化硅。本发明在现有的Si回刻基础上进一步提高回刻量，通过控制回刻厚度，保证后续AlCMP工艺时存储阵列和逻辑区域的高度接近，并在栅极氧化物和浮栅沉积之后继续沉积一层氧化硅，使STICMP时存储阵列和逻辑区域的高度接近，STICMP完成后通过刻蚀工艺除去这一层氧化硅，并继续完成后续标准工艺。
本发明授权一种浮栅型闪存器的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种基于28nmHKMG工艺的浮栅型闪存器的制造方法，其特征在于，至少包括： 步骤一、提供半导体结构，包括存储阵列以及与所述存储阵列处于相邻位置的逻辑区域；之后对所述存储阵列的硅进行回刻； 步骤二、生长栅极氧化物； 步骤三、沉积浮栅覆盖所述半导体结构； 步骤四、沉积氧化硅；之后去除所述逻辑区域的浮栅和氧化硅； 步骤五、沉积氮化硅覆盖所述存储阵列和所述逻辑区域；之后在所述存储阵列和所述逻辑区域分别形成STI并进行氮化硅表面CMP平坦化； 步骤六、去除所述氮化硅和所述氧化硅。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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