北京元芯碳基集成电路研究院;北京大学;北京交通大学周绍元获国家专利权
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龙图腾网获悉北京元芯碳基集成电路研究院;北京大学;北京交通大学申请的专利晶体管型光电探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114613873B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210113905.4，技术领域涉及：H10F30/282；该发明授权晶体管型光电探测器及其制备方法是由周绍元;王颖;魏楠;张志勇设计研发完成，并于2022-01-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶体管型光电探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种晶体管型光电探测器，包括：第一电极；第二电极，第二电极与第一电极间隔开；沟道层，沟道层至少设置在第一电极与第二电极之间；光敏层，光敏层设计为p‑i‑n异质结结构，光敏层的材料由需要探测的波段所决定；以及介质层，介质层设置沟道层与光敏层之间。本公开还提供了一种晶体管型光电探测器及其制备方法。
本发明授权晶体管型光电探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种晶体管型光电探测器，其特征在于，包括： 第一电极； 第二电极，所述第二电极与所述第一电极间隔开； 沟道层，所述沟道层至少设置在所述第一电极与所述第二电极之间； 光敏层，所述光敏层设计为p-i-n异质结结构，所述光敏层的材料由需要探测的波段所决定，在p-i-n异质结结构中，i区的设置厚度大于p区和n区的设置厚度； 介质层，所述介质层设置所述沟道层与所述光敏层之间，用于将所述光敏层的内建电场的电场信号变化以电容耦合方式作用至所述沟道层，所述内建电场的作用范围形成在整个p-i-n异质结结构的区域， 第二功能层，设计在所述光敏层与所述介质层之间，用于调节所述晶体管型光电探测器的阈值电压， 其中，晶体管型光电探测器的栅压能够被调控，使得沟道层偏置到最佳工作点，实现最佳信噪比。
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