无锡先瞳半导体科技有限公司张子敏获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡先瞳半导体科技有限公司申请的专利具有分段式栅结构的沟槽型场效应晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114744036B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210190331.0，技术领域涉及：H10D64/66；该发明授权具有分段式栅结构的沟槽型场效应晶体管及其制备方法是由张子敏;王宇澄;虞国新;吴飞;钟军满设计研发完成，并于2022-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有分段式栅结构的沟槽型场效应晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请是关于一种具有分段式栅结构的沟槽型场效应晶体管及其制备方法。该晶体管包括：衬底区、漂移区、基体区、源区、屏蔽栅、控制栅、绝缘层、源极、漏极及金属栅极；漂移区、基体区、源区及源极依次设置在衬底区上方，漏极设置于衬底区下方；控制栅和屏蔽栅由上至下依次设置在漂移区的一侧，并通过绝缘层分别与漂移区、基体区以及源区相接；控制栅和屏蔽栅之间通过绝缘层相隔；屏蔽栅从上至下由不同功函数的金属材料构成；控制栅从上至下由不同功函数的金属材料构成；源极设置于源区上方；金属栅极设置于控制栅上方。本申请提供的方案，能够提高晶体管器件的击穿电压。
本发明授权具有分段式栅结构的沟槽型场效应晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有分段式栅结构的沟槽型场效应晶体管，其特征在于，包括：衬底区（1）、漂移区（2）、基体区（3）、源区（4）、屏蔽栅（5）、控制栅（6）、绝缘层（7）、源极（8）、漏极（9）及金属栅极；所述漂移区（2）、所述基体区（3）、所述源区（4）及所述源极（8）依次设置在所述衬底区（1）上方，所述漏极（9）设置于所述衬底区（1）下方； 所述控制栅（6）和所述屏蔽栅（5）由上至下依次设置在所述漂移区（2）的一侧，并通过所述绝缘层（7）分别与所述漂移区（2）、所述基体区（3）以及所述源区（4）相接；所述控制栅（6）和所述屏蔽栅（5）之间通过所述绝缘层（7）相隔；所述屏蔽栅（5）从上至下由不同功函数的金属材料构成；所述控制栅（6）从上至下由不同功函数的金属材料构成； 所述源极（8）设置于所述源区上方；所述金属栅极设置于所述控制栅上方；所述屏蔽栅（5）中，金属材料的功函数由上到下依次增加。
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