买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利改善金属栅接触孔刻蚀工艺窗口的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695253B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210187231.2，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权改善金属栅接触孔刻蚀工艺窗口的方法是由杨作东;彭翔;邹海华设计研发完成，并于2022-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本改善金属栅接触孔刻蚀工艺窗口的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种改善金属栅接触孔刻蚀工艺窗口的方法，提供衬底，衬底上形成有多个器件区，每个器件区均形成有金属栅，衬底上形成有层间介质层，之后研磨层间介质层使得金属栅裸露；在层间介质层和金属栅上形成扩散阻挡层；在扩散阻挡层上形成自下而上叠加的刻蚀阻挡层和隔离层；在隔离层上形成光刻胶层，光刻打开光刻胶层使得至少一个器件区上金属栅以外的区域裸露；去除裸露的隔离层以及其下方的刻蚀阻挡层和扩散阻挡层；去除光刻胶层，之后在衬底上继续形成层间介质层；刻蚀层间介质层，形成分别与源区、漏区以及金属栅相连通的接触孔。本发明不改变层间介质层、接触孔刻蚀等配套工艺条件，提高通孔刻蚀的工艺窗口，改善产品可靠性。

本发明授权改善金属栅接触孔刻蚀工艺窗口的方法在权利要求书中公布了：1.一种改善金属栅接触孔刻蚀工艺窗口的方法，其特征在于，至少包括： 步骤一、提供衬底，所述衬底上形成有多个器件区，多个所述器件区包括低压器件区、中压器件区和高压器件区，每个所述器件区均形成有金属栅，所述高压器件区上的所述金属栅的尺寸大于所述中压器件区和所述低压器件区中的所述金属栅的尺寸，所述衬底上形成有覆盖多个所述器件区以及所述金属栅的层间介质层，之后研磨所述层间介质层使得所述金属栅裸露； 步骤二、在研磨后的所述层间介质层和裸露的所述金属栅上形成扩散阻挡层； 步骤三、在所述扩散阻挡层上依次形成刻蚀阻挡层以及位于所述刻蚀阻挡层上的隔离层； 步骤四、在所述隔离层上形成光刻胶层，光刻打开所述光刻胶层使得所述高压器件区上所述金属栅以外的区域裸露； 步骤五、去除裸露的所述隔离层及其下方的所述刻蚀阻挡层和所述扩散阻挡层，使得仅所述高压器件区上的所述金属栅上的所述刻蚀阻挡层、所述扩散阻挡层和所述隔离层保留； 步骤六、去除光刻胶层，之后在所述衬底上继续形成覆盖多个所述器件区以及所述金属栅的层间介质层； 步骤七、刻蚀所述层间介质层，形成与每个器件区的源区、漏区以及所述金属栅相连通的接触孔。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海华力集成电路制造有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区良腾路6号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。