株式会社电装;丰田自动车株式会社;未来瞻科技株式会社长井彰平获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社电装;丰田自动车株式会社;未来瞻科技株式会社申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115116990B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210270203.7，技术领域涉及：H01L23/367；该发明授权半导体装置及其制造方法是由长井彰平设计研发完成，并于2022-03-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：一种半导体装置包括衬底、半导体元件和锡基焊料层。半导体元件在衬底的法线方向上面向衬底。法线方向对应于衬底的法线。锡基焊料层将半导体元件接合到衬底。锡基焊料层包括中心部分和围绕中心部分的周边部分。锡基焊料层具有锡晶体，锡晶体具有在中心部分和周边部分中每一个处的C轴。中心部分处的C轴以相对于法线成大于45度的角度与法线相交。周边部分处的C轴以相对于法线成小于或等于45度的角度与法线相交，或者平行于法线。
本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括： 衬底； 半导体元件，其配置成在与所述衬底正交的方向面向所述衬底，所述方向是所述衬底的法线方向且对应于所述衬底的法线；和 锡基焊料层，其配置成将所述半导体元件接合到所述衬底， 其中所述锡基焊料层包括在法线方向观察时的中心部分和围绕所述中心部分的周边部分， 其中所述锡基焊料层包括具有C轴的锡晶体，并且所述C轴位于所述中心部分和所述周边部分中的每一个处， 其中所述中心部分处的C轴以相对于所述法线成大于45度的角度与所述法线相交，以及 其中所述周边部分处的C轴以相对于所述法线成小于或等于45度的角度与所述法线相交，或者与所述法线平行。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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