飞锃半导体(上海)有限公司赵凤俭获国家专利权
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龙图腾网获悉飞锃半导体(上海)有限公司申请的专利SiC MOSFET的短路检测电路及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114814515B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210499632.1，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权SiC MOSFET的短路检测电路及方法是由赵凤俭设计研发完成，并于2022-05-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本SiC MOSFET的短路检测电路及方法在说明书摘要公布了：本申请技术方案提供一种SiCMOSFET的短路检测电路及方法，所述短路检测电路包括：输出侧逻辑控制模块，用于接收所述SiCMOSFET的驱动脉冲信号并输出，还用于输出与所述驱动脉冲信号同步的控制信号；输出级功率放大电路，与所述输出侧逻辑控制模块电连接，并被配置为对所述驱动脉冲信号进行放大，并输出至所述SiCMOSFET；短路检测模块，与所述输出侧逻辑控制模块以及所述SiCMOSFET的漏极电连接，并被配置为接收所述控制信号并获得参考电压信号，同时获取所述SiCMOSFET的漏源电压信号，且基于所述漏源电压信号和所述参考电压信号向所述输出侧逻辑控制模块输出检测结果信号。本申请技术方案的短路检测电路能够对SiCMOSFET所在电路进行动态短路监测。
本发明授权SiC MOSFET的短路检测电路及方法在权利要求书中公布了：1.一种SiCMOSFET的短路检测电路，其特征在于，包括： 输出侧逻辑控制模块，用于接收所述SiCMOSFET的驱动脉冲信号并输出，还用于输出与所述驱动脉冲信号同步的控制信号； 输出级功率放大电路，与所述输出侧逻辑控制模块电连接，并被配置为对所述驱动脉冲信号进行放大，并输出至所述SiCMOSFET； 短路检测模块，与所述输出侧逻辑控制模块以及所述SiCMOSFET的漏极电连接，并被配置为接收所述控制信号并获得参考电压信号，同时获取所述SiCMOSFET的漏源电压信号，且基于所述漏源电压信号和所述参考电压信号向所述输出侧逻辑控制模块输出检测结果信号，所述短路检测模块被配置为比较所述漏源电压信号与所述参考电压信号，当所述漏源电压信号大于所述参考电压信号时，运放信号翻转，所述短路检测模块向所述输出侧逻辑控制模块输出短路信号。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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