宁波大学张豫获国家专利权
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龙图腾网获悉宁波大学申请的专利一种透波频率可调的频率选择结构获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115084861B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210501601.5,技术领域涉及:H01Q15/00;该发明授权一种透波频率可调的频率选择结构是由张豫;钟硕敏;赖培宁设计研发完成,并于2022-05-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种透波频率可调的频率选择结构在说明书摘要公布了:本发明公开了一种透波频率可调的频率选择结构,包括按照m行n列阵列方式排布m×n个频率选择单元,位于同一行频率选择单元依次无缝拼接,位于同一列频率选择单元依次无缝拼接,每个频率选择单元分别包括一个变容二极管以及按照从上到下顺序层叠的第一金属铜层、介质基板层和第二金属铜层,介质基板层上开设有上下贯通的第一矩形槽,第一金属铜层附着在介质基板层的上表面,设置有上下贯通的第二矩形槽,第二金属铜层附着在介质基板层的下表面,开设有上下贯通的第三矩形槽、第四矩形槽、第五矩形槽、第六矩形槽、第七矩形槽、第八矩形槽、第九矩形槽、第十矩形槽和第十一矩形槽;优点是调谐速度快,调谐范围大,尺寸小的同时,插入损耗较低。
本发明授权一种透波频率可调的频率选择结构在权利要求书中公布了:1.一种透波频率可调的频率选择结构,其特征在于包括m×n个频率选择单元,m为大于等于1的整数,n为大于等于1的整数,m×n个频率选择单元按照m行n列阵列方式排布,位于同一行的频率选择单元依次无缝拼接,位于同一列的频率选择单元依次无缝拼接; 每个所述的频率选择单元分别包括一个变容二极管以及按照从上到下顺序层叠的第一金属铜层、介质基板层和第二金属铜层,所述的介质基板层为矩形板,所述的介质基板层上开设有上下贯通的第一矩形槽,所述的第一矩形槽的中心与所述的介质基板层的中心重合,所述的第一矩形槽的前端面与所述的介质基板层的前端面平行,所述的第一矩形槽的左端面与所述的介质基板层的左端面平行,所述的第一矩形槽的上端面与所述的介质基板层的上端面位于同一平面,所述的第一矩形槽的下端面与所述的介质基板层的下端面位于同一平面,所述的介质基板层的前端面、后端面、左端面和右端面均被金属铜层完全覆盖住; 所述的第一金属铜层为矩形,所述的第一金属铜层附着在所述的介质基板层的上表面,所述的第一金属铜层的前端面与所述的介质基板层的前端面齐平,所述的第一金属铜层的后端面与所述的介质基板层的后端面齐平,所述的第一金属铜层的左端面与所述的介质基板层的左端面齐平,所述的第一金属铜层的右端面与所述的介质基板层的右端面齐平,所述的第一金属铜层上设置有上下贯通的第二矩形槽,所述的第二矩形槽的前端面与所述的第一矩形槽的前端面齐平,所述的第二矩形槽的后端面与所述的第一矩形槽的后端面齐平,所述的第二矩形槽的左端面与所述的第一矩形槽的左端面齐平,所述的第二矩形槽的右端面与所述的第一矩形槽的右端面齐平; 所述的第二金属铜层为矩形,所述的第二金属铜层附着在所述的介质基板层的下表面,所述的第二金属铜层的前端面与所述的介质基板层的前端面齐平,所述的第二金属铜层的后端面与所述的介质基板层的后端面齐平,所述的第二金属铜层的左端面与所述的介质基板层的左端面齐平,所述的第二金属铜层的右端面与所述的介质基板层的右端面齐平,所述的第二金属铜层上开设有上下贯通的第三矩形槽、第四矩形槽、第五矩形槽、第六矩形槽、第七矩形槽、第八矩形槽、第九矩形槽、第十矩形槽和第十一矩形槽,所述的第三矩形槽的中心与所述的第二金属铜层的中心重合,所述的第三矩形槽的前端面与所述的第一矩形槽的前端面齐平,所述的第三矩形槽的后端面与所述的第一矩形槽的后端面齐平,所述的第三矩形槽的左端面与所述的第一矩形槽的左端面齐平,所述的第三矩形槽的右端面与所述的第一矩形槽的右端面齐平,所述的第四矩形槽位于所述的第三矩形槽的前侧,所述的第三矩形槽的左端面与所述的第二金属铜层的左端面齐平,所述的第三矩形槽的前端面位于所述的第二金属铜层的后侧,所述的第三矩形槽的右端面位于所述的第二金属铜层沿前后方向的对称线的左侧,所述的第五矩形槽位于所述的第三矩形槽和所述的第四矩形槽之间,所述的第五矩形槽的前端面与所述的第四矩形槽的后端面贴合,所述的第五矩形槽的右端面与所述的第四矩形槽的右端面齐平,所述的第五矩形槽的后端面与所述的第三矩形槽的前端面贴合,所述的第五矩形槽的左端面位于所述的第三矩形槽的左端面所在平面的右侧,所述的第六矩形槽位于所述的第三矩形槽的后侧,且与所述的第四矩形槽相对于所述的第二金属铜层沿左右方向的对称线前后对称,所述的第七矩形槽位于所述的第三矩形槽和所述的第六矩形槽之间,且与所述的第五矩形槽相对于所述的第二金属铜层沿左右方向的对称线前后对称,所述的第八矩形槽位于所述的第四矩形槽的右侧,且与所述的第四矩形槽相对于所述的第二金属铜层沿前后方向的对称线左右对称,所述的第九矩形槽位于所述的第五矩形槽的右侧,且与所述的第五矩形槽相对于所述的第二金属铜层沿前后方向的对称线左右对称,所述的第十矩形槽位于所述的第六矩形槽的右侧,且与所述的第六矩形槽相对于所述的第二金属铜层沿前后方向的对称线左右对称,所述的第十一矩形槽位于所述的第七矩形槽的右侧,且与所述的第七矩形槽相对于所述的第二金属铜层沿前后方向的对称线左右对称; 所述的变容二极管设置在所述的第三矩形槽的中心处,所述的变容二极管的一端与所述的第二金属铜层位于所述的第三矩形槽、第五矩形槽和第九矩形槽之间的部分连接,所述的变容二极管的另一端与所述的第二金属铜层位于所述的第三矩形槽、第七矩形槽和第十一矩形槽之间的部分连接。
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