飞锃半导体(上海)有限公司赵凤俭获国家专利权
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龙图腾网获悉飞锃半导体(上海)有限公司申请的专利MOSFET功率回路寄生电感的确定方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114785097B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210538516.6，技术领域涉及：H02M1/088；该发明授权MOSFET功率回路寄生电感的确定方法是由赵凤俭设计研发完成，并于2022-05-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本MOSFET功率回路寄生电感的确定方法在说明书摘要公布了：本申请技术方案提供一种MOSFET功率回路寄生电感的确定方法，包括：提供桥臂MOSFET功率回路的等效功率电路，所述等效功率电路包括桥接的驱动MOSFET和续流MOSFET以及功率回路寄生电感，并获得所述驱动MOSFET的等效输出电容；对所述桥臂MOSFET功率回路进行双脉冲测试，获得所述驱动MOSFET的关断电压与时间的关系；根据所述驱动MOSFET的关断电压与时间的关系获得谐振频率；根据所述等效输出电容和所述谐振频率，获得功率回路寄生电感值。本申请技术方案在不对器件造成损害的情况下，解决了MOSFET功率回路寄生电感难以获取的问题。
本发明授权MOSFET功率回路寄生电感的确定方法在权利要求书中公布了：1.一种MOSFET功率回路寄生电感的确定方法，其特征在于，包括： 提供桥臂MOSFET功率回路的等效功率电路，所述等效功率电路包括桥接的驱动MOSFET和续流MOSFET以及功率回路寄生电感，并获得所述驱动MOSFET的等效输出电容； 对所述桥臂MOSFET功率回路进行双脉冲测试，获得所述驱动MOSFET的关断电压与时间的关系； 根据所述驱动MOSFET的关断电压与时间的关系获得谐振频率； 根据所述等效输出电容和所述谐振频率，获得功率回路寄生电感值，其中获得所述功率回路寄生电感值的方法包括：基于所述驱动MOSFET关断时的电压过冲和振荡过程，获得所述等效功率电路的简化电路；基于所述电压过冲和振荡过程均发生在高频段，将所述简化电路转化为小信号电路；根据所述小信号电路获得所述功率回路寄生电感值。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人飞锃半导体(上海)有限公司，其通讯地址为：201306 上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区环湖西二路888号C楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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