江苏第三代半导体研究院有限公司王国斌获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏第三代半导体研究院有限公司申请的专利基于图形化氮化物单晶衬底的发光二极管结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114843379B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210579371.4，技术领域涉及：H10H20/814；该发明授权基于图形化氮化物单晶衬底的发光二极管结构及制备方法是由王国斌;闫其昂设计研发完成，并于2022-05-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于图形化氮化物单晶衬底的发光二极管结构及制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种基于图形化氮化物单晶衬底的发光二极管结构及制备方法。所述发光二极管结构包括氮化物单晶衬底、氮化物层、填平层和发光外延层；所述衬底表面形成有多个规则的图案结构，所述图案结构相对于所述氮化物单晶衬底表面凸起或凹下；所述氮化物层连续共形覆盖在多个所述图案结构上，且两者配合形成反射结构，所述反射结构至少能够反射发光外延层所发射的光；所述填平层表面平整，并连续覆盖在所述氮化物层上；所述发光外延层生长在所述填平层上。本申请的发光二极管结构具有低漏电、长寿命、高出光效率和高发光均匀性等优点，能实现高亮度、高效率的LED器件，在高端应用领域具有很好的应用前景。
本发明授权基于图形化氮化物单晶衬底的发光二极管结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于图形化氮化物单晶衬底的发光二极管结构，其特征在于，包括： 氮化物单晶衬底，所述氮化物单晶衬底表面形成有多个规则的图案结构，所述图案结构包括形成于所述氮化物单晶衬底表面的漏斗形或倒棱锥形的坑，所述坑的开口角度为15°-75°、深度为100nm-10μm、开口直径为10nm-1μm，相邻两个所述坑的间距为1μm-10μm； 氮化物层，连续共形覆盖在多个所述图案结构上，并与多个所述图案结构配合形成反射结构，所述反射结构至少能够反射发光外延层所发射的光，且所述氮化物层具有第一区域和第二区域，所述第一区域对应于所述图案结构设置，所述第二区域对应于相邻图案结构之间的区域设置，所述第二区域的表面形成有粗化结构，使所述第二区域表面的粗糙度Ra值大于0.1μm； 填平层，连续覆盖在所述氮化物层上，且所述填平层表面平整； 以及，发光外延层，生长在所述填平层上； 其中，所述氮化物层与所述氮化物单晶衬底晶格匹配。
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