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龙图腾网获悉华东师范大学申请的专利纳米片环栅场效应晶体管金属功函数波动电路仿真方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115906723B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210628379.5，技术领域涉及：G06F30/33；该发明授权纳米片环栅场效应晶体管金属功函数波动电路仿真方法是由徐思逸;孙亚宾;石艳玲;李小进设计研发完成，并于2022-06-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本纳米片环栅场效应晶体管金属功函数波动电路仿真方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种纳米片环栅场效应晶体管金属功函数波动电路仿真方法，属于微电子器件领域。该电路仿真方法首先基于BSIM‑CMG模型对纳米片环栅场效应晶体管的IV以及CV数据对其进行全局模型提取，再利用计算公式得到金属功函数波动影响下的模型中参数PHIG涨落的均值和标准差，嵌入到电路仿真软件的仿真网表中进行电路仿真，即可得到金属功函数波动所造成的电路性能参数。采用本发明可以较为准确地得到的器件特性涨落影响，与TCAD仿真得到的结果精度一致。传统TCAD仿真波动性方法速度慢并且成本高，而本发明建立的电路仿真方法速度快，且误差小。

本发明授权纳米片环栅场效应晶体管金属功函数波动电路仿真方法在权利要求书中公布了：1.一种纳米片环栅场效应晶体管金属功函数波动电路仿真方法，其特征在于，该方法包括如下步骤： 1基于BSIM-CMG模型对纳米片环栅场效应晶体管进行全局参数提取，得到所有Target在工业误差范围内并能够应用于沟道长度Lg变化的器件的全局模型及核心参数PHIG； 2修正核心参数PHIG；利用公式1和公式2分别得到金属功函数影响下核心参数PHIG涨落的均值和方差： μPHIG＝PHIG1 其中，公式中PHIG为已得到的全局模型中无波动下的核心参数PHIG，为有效功函数的涨落，能够直接反映在PHIG的变化上；D为金属晶粒的直径，nstack为纳米片的层数，W为沟道宽度，L为沟道长度，为金属栅材料两种晶向对应的功函数之差，使用金属TiN100和111所对应的功函数之差，根据对晶粒统计分布的结果，两种晶向的比例为60％和40％，分别对应公式中晶向比例p1和1-p1的值；μPHIG为PHIG涨落的均值，σPHIG为PHIG涨落的标准差； 3将全局参数提取得到的全局模型以及核心参数PHIG涨落的均值和方差嵌入到电路仿真软件的仿真网表中，用电路仿真软件进行电路仿真，得到金属功函数波动影响下的器件漏极电流随栅极电压变化关系曲线Id-Vg图。

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