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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利有源区电阻的测试结构和测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115116875B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210713439.3，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权有源区电阻的测试结构和测试方法是由孔为行;薛培堃;陈明志设计研发完成，并于2022-06-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本有源区电阻的测试结构和测试方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种有源区电阻的测试结构包括：有源区电阻，设置在有源区电阻第一端的第一和第二接触孔和第二端的第三和第四接触孔，第一至第四接触孔分别连接第一至第四衬垫。第一和第二衬垫之间、第三和第四衬垫之间、第一和第三衬垫之间、第二和第四衬垫之间、第一和第四衬垫之间和第二和第三衬垫之间分别形成第一至第六组电阻的测试端口。有源区电阻的测量值为由第三和第四组电阻的和或者第五和第六组电阻的和减去第一和第二组电阻的和得到的差值的一半。本发明还提供一种有源区电阻的测试方法。本发明能提高有源区电阻的测量精度。

本发明授权有源区电阻的测试结构和测试方法在权利要求书中公布了：1.一种有源区电阻的测试结构，其特征在于，包括： 有源区电阻，所述有源区电阻由形成于有源区中的掺杂区组成； 在所述有源区电阻的第一端设置有第一接触孔和第二接触孔； 在所述有源区电阻的第二端设置有第三接触孔和第四接触孔； 所述第一接触孔连接到第一衬垫，所述第二接触孔连接到第二衬垫，所述第三接触孔连接到第三衬垫，所述第四接触孔连接到第四衬垫； 所述第一衬垫和所述第二衬垫之间形成第一组电阻的测试端口并用于测试得到所述第一组电阻； 所述第三衬垫和所述第四衬垫之间形成第二组电阻的测试端口并用于测试得到所述第二组电阻； 所述第一衬垫和所述第三衬垫之间形成第三组电阻的测试端口并用于测试得到所述第三组电阻； 所述第二衬垫和所述第四衬垫之间形成第四组电阻的测试端口并用于测试得到所述第四组电阻； 所述第一衬垫和所述第四衬垫之间形成第五组电阻的测试端口并用于测试得到所述第五组电阻； 所述第二衬垫和所述第三衬垫之间形成第六组电阻的测试端口并用于测试得到所述第六组电阻； 所述有源区电阻的测量值为由所述第三组电阻和所述第四组电阻的和减去所述第一组电阻和所述第二组电阻的和得到的差值的一半；或者，所述有源区电阻的测量值为由所述第五组电阻和所述第六组电阻的和减去所述第一组电阻和所述第二组电阻的和得到的差值的一半。

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