武汉华星光电半导体显示技术有限公司张淑媛获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利像素电路及显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115148144B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210864056.6，技术领域涉及：G09G3/20；该发明授权像素电路及显示面板是由张淑媛设计研发完成，并于2022-07-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本像素电路及显示面板在说明书摘要公布了：本申请公开了一种像素电路及显示面板，该像素电路包括驱动晶体管、写入晶体管、第一晶体管以及电位抬升单元，通过电位抬升单元在一帧中写入晶体管、第一晶体管的工作周期之后抬升驱动晶体管的栅极电位，可以在发光阶段中降低发光亮度，以此可以抵消写入晶体管的多次写入致使驱动晶体管的阈值电压漂移所引起的亮度变化。
本发明授权像素电路及显示面板在权利要求书中公布了：1.一种像素电路，其特征在于，包括： 驱动晶体管，所述驱动晶体管为P沟道型薄膜晶体管； 写入晶体管，所述写入晶体管的源极漏极中的一个与所述驱动晶体管的源极漏极中的一个连接，所述写入晶体管的源极漏极中的另一个与数据线连接，所述写入晶体管的栅极与第一控制线连接； 第一晶体管，所述第一晶体管的源极漏极中的一个与所述驱动晶体管的源极漏极中的另一个连接，所述第一晶体管的源极漏极中的另一个与所述驱动晶体管的栅极连接，所述第一晶体管的栅极与所述写入晶体管的栅极连接； 第二发光控制晶体管，所述第二发光控制晶体管的源极漏极中的一个与所述驱动晶体管的源极漏极中的另一个连接，所述第二发光控制晶体管的栅极与发光控制线连接； 发光器件，所述发光器件的阳极与所述第二发光控制晶体管的源极漏极中的另一个连接，所述发光器件的阴极与负电源线连接； 第一初始化晶体管，所述第一初始化晶体管的源极漏极中的一个与所述发光器件的阳极连接，所述第一初始化晶体管的源极漏极中的另一个与第一初始化线连接，所述第一初始化晶体管的栅极与第二控制线连接； 电位抬升单元，所述电位抬升单元连接于所述驱动晶体管的栅极与所述第二控制线之间，用于在一帧中所述写入晶体管、所述第一初始化晶体管依次导通之后且所述发光器件发光之前抬升所述驱动晶体管的栅极电位。
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