上海华力集成电路制造有限公司孙紫涵获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利评估半导体器件掺杂区的热稳定性的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115274480B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210889586.6，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权评估半导体器件掺杂区的热稳定性的方法是由孙紫涵;李明;薛怡;高金德设计研发完成，并于2022-07-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本评估半导体器件掺杂区的热稳定性的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种评估半导体器件掺杂区的热稳定性的方法，包括：步骤一、提供完成了需要进行热稳定性分析的第一掺杂区的制作的芯片样品。步骤二、采用电子束辅助沉积工艺形成第一保护层，第一保护层的材料以及电子束辅助沉积工艺的电子束能量参数设置为保证电子能进入到半导体衬底表面中并对第一掺杂区产生热作用形成第一缺陷。步骤三、使用FIB进行离子束切削形成TEM样品。步骤四、对TEM样品进行TEM结果分析获得第一缺陷的形貌并进行评估。本发明不需要通过电性老化测试来评估掺杂区的热稳定性，而是能直接通过观测掺杂区的由热损伤形成的缺陷来进行掺杂区的热稳定性。
本发明授权评估半导体器件掺杂区的热稳定性的方法在权利要求书中公布了：1.一种评估半导体器件掺杂区的热稳定性的方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤一、提供芯片样品，所述芯片样品的半导体衬底上完成了半导体器件的需要进行热稳定性分析的第一掺杂区的制作；所述第一掺杂区位于所述半导体衬底的表面区域中，根据所述第一掺杂区在所述芯片样品上选定用于形成TEM样品的目标区域； 步骤二、采用电子束辅助沉积工艺形成第一保护层，所述第一保护层至少覆盖在所述目标区域的表面上；所述第一保护层的材料以及所述电子束辅助沉积工艺的电子束能量参数设置为保证所述电子束辅助沉积工艺的电子能进入到所述半导体衬底表面中，利用进入到所述半导体衬底表面的所述电子的能量对所述第一掺杂区产生热作用并产生能评估所述第一掺杂区的热稳定性的第一缺陷； 步骤三、使用FIB对所述芯片样品中的所述目标区域进行离子束切削形成所需厚度的TEM样品； 步骤四、对所述TEM样品进行TEM结果分析获得所述第一缺陷的形貌，根据所述第一缺陷的形貌对所述第一掺杂区的热稳定性进行评估。
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