成都智芯测控科技有限公司胡建全获国家专利权
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龙图腾网获悉成都智芯测控科技有限公司申请的专利一种采用电流复用结构和单向化技术的分布式放大器电路获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115225038B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211063186.6,技术领域涉及:H03F1/02;该发明授权一种采用电流复用结构和单向化技术的分布式放大器电路是由胡建全设计研发完成,并于2022-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种采用电流复用结构和单向化技术的分布式放大器电路在说明书摘要公布了:本发明涉及无线通信技术领域,公开了一种采用电流复用结构和单向化技术的分布式放大器电路,包括终端接阻抗为Zo的负载的栅极传输线、终端接阻抗为Zo的负载的漏极传输线和n个采用电流复用结构结合单向化技术的增益单元,所述栅极传输线与第i个所述增益单元之间通过第一晶体管M1i相连接,每个所述第一晶体管M1i的栅极与所述栅极传输线连接的连接点的前后分别串联有LG2的第一子分布电感,第一晶体管M1i的漏极有第一峰化电感LD1和栅极传输线与该增益单元的第一晶体管栅极连接的连接点的下游的第一分布电感耦合;所述漏极传输线与第i个增益单元之间通过第二晶体管M2i的漏极串接第二峰化电感LD2连接。本发明提升了分布式放大器的增益。
本发明授权一种采用电流复用结构和单向化技术的分布式放大器电路在权利要求书中公布了:1.一种采用电流复用结构和单向化技术的分布式放大器电路,其特征在于,包括终端接阻抗为Zo的负载的栅极传输线、终端接阻抗为Zo的负载的漏极传输线和n个采用电流复用结构结合单向化技术的增益单元,n为不小于2的整数,所述栅极传输线与第i个所述增益单元之间通过第一晶体管M1i相连接,i=1,2…n,所述第一晶体管M1i的栅极连接在所述栅极传输线上,且在所述栅极传输线上,每个所述第一晶体管M1i的栅极与所述栅极传输线连接的连接点的前后分别串联有LG2的第一子分布电感,位于两个增益单元之间的两个第一子分布电感组成第一分布电感LG;所述栅极传输线的信号输入端和与其相邻的所述第一子分布电感之间以及设置在所述栅极传输线终端的负载和与其相邻的所述第一子分布电感之间分别串联有隔直流电容C; 所述漏极传输线与第i个增益单元之间通过第二晶体管M2i的漏极串接第二峰化电感LD2连接,i=1,2…n,且在所述漏极传输线上,每个所述第二峰化电感LD2与所述漏极传输线的连接点前后分别串联有LD2的第二子分布电感,位于两个增益单元之间的两个第二子分布电感组成第二分布电感LD;所述漏极传输线的信号输出端和与其相邻的第二子分布电感之间以及设置在所述漏极传输线终端的负载和与其相邻的所述第二子分布电感之间分别串联有隔直流电容C; 每个所述增益单元均包括第一晶体管M1i和第二晶体管M2i,所述第一晶体管M1i的漏极与第二晶体管M2i的源极之间依次串联有第一峰化电感LD1和扼流电感L1; 在非靠近栅极传输线终端的所述增益单元中,所述第一峰化电感LD1和所述栅极传输线与该增益单元的第一晶体管M1i的栅极连接的连接点的下游的第一分布电感LG耦合,在靠近栅极传输线终端的所述增益单元中,所述第一峰化电感LD1和所述栅极传输线与该增益单元的第一晶体管M1i的栅极连接的连接点的下游的第一子分布电感LG耦合; 所述第二晶体管M2i的栅极与第一峰化电感LD1和扼流电感L1的连接点之间通过串联第一电容C1相连接; 所述第二晶体管M2i的漏极通过串联第二峰化电感LD2与漏极传输线连接; 所述第一晶体管M1i源极接地。
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