安徽国芯光刻技术有限公司章广飞获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽国芯光刻技术有限公司申请的专利一种DMD直写混波曝光方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115309010B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211079934.X,技术领域涉及:G03F7/20;该发明授权一种DMD直写混波曝光方法是由章广飞;王运钢;薛业保;李文静设计研发完成,并于2022-09-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种DMD直写混波曝光方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种DMD直写混波曝光方法,沿DMD扫描方向,将DMD分割成若干独立微镜区,相邻的独立微镜区之间不相交;将若干不同波长的入射光,分别照射至DMD上各独立微镜区内;各独立微镜区反射的不同波长入射光,随DMD扫描,依次照射至被感光面上同一感光区;各独立微镜区反射的不同波长入射光,在被感光面上同一感光区依次叠加相同的曝光图形;经过感光面上的上一感光区的独立微镜区,随DMD扫描,进入下一感光区并进行曝光,本感光区获得与上一感光区相同或不同形状的曝光图形;本发明的DMD直写混波曝光方法,解决现有技术中DMD多波混合直写曝光中存在的多种波长入射光光路耦合不便的问题。
本发明授权一种DMD直写混波曝光方法在权利要求书中公布了:1.一种DMD直写混波曝光方法,其特征在于,沿DMD扫描方向,将DMD分割成若干独立微镜区,相邻的独立微镜区之间不相交且具有间距,所述间距宽度为相邻两不同波长的入射光曝光延时时间与DMD扫描速度之积; 将若干不同波长的入射光,分别照射至DMD上各独立微镜区内;各独立微镜区反射的不同波长入射光,随DMD扫描,依次照射至被感光面上同一感光区;各独立微镜区反射的不同波长入射光,在被感光面上同一感光区依次叠加相同的曝光图形; 经过感光面上的上一感光区的独立微镜区,随DMD扫描,进入下一感光区并进行曝光,本感光区获得与上一感光区相同或不同形状的曝光图形。
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