上海微芸半导体科技有限公司张二辉获国家专利权
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龙图腾网获悉上海微芸半导体科技有限公司申请的专利一种反应腔保护壳及等离子刻蚀设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115472484B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211173164.5，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权一种反应腔保护壳及等离子刻蚀设备是由张二辉;王俊设计研发完成，并于2022-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种反应腔保护壳及等离子刻蚀设备在说明书摘要公布了：本申请提供一种反应腔保护壳及等离子刻蚀设备，所述反应腔保护壳包括：主体，所述主体为空心圆柱状，所述主体的尺寸与所述反应腔匹配；安装部，位于所述主体顶部，用于将所述反应腔保护壳安装于所述反应腔中；底盘，位于所述主体底部，所述底盘为圆环状，所述底盘上设置有若干抽气孔，所述若干抽气孔被配置为在抽气时对所述底盘中心的吸力均匀；所述主体、安装部和底盘为一体式结构。本申请提供一种反应腔保护壳及等离子刻蚀设备，所述反应腔保护壳底部设置有尺寸由圆心向边缘依次增加的若干抽气孔，可以使反应腔内等离子体的流动更稳定和均匀，使等离子体在晶圆表面分布均匀，提高反应效率和反应稳定性。
本发明授权一种反应腔保护壳及等离子刻蚀设备在权利要求书中公布了：1.一种反应腔保护壳，用于等离子刻蚀设备，其特征在于，包括： 主体，所述主体为空心圆柱状，所述主体的尺寸与所述反应腔匹配； 安装部，位于所述主体顶部，用于将所述反应腔保护壳安装于所述反应腔中； 底盘，位于所述主体底部，所述底盘为圆环状，所述底盘上设置有若干抽气孔，所述若干抽气孔被配置为在抽气时对所述底盘中心的吸力均匀，所述底盘远离所述主体的一侧还设置有弯折部，所述弯折部贴合所述反应腔中的承载台侧壁并且用于固定晶圆以及保护晶圆的侧壁； 所述主体、安装部和底盘为一体式结构。
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