南通大学李祥彪获国家专利权
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龙图腾网获悉南通大学申请的专利一种降低类碳化硅晶体多线切割中弯曲翘曲度的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115503130B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211184687.X，技术领域涉及：B28D5/04；该发明授权一种降低类碳化硅晶体多线切割中弯曲翘曲度的方法是由李祥彪;仲崇贵设计研发完成，并于2022-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种降低类碳化硅晶体多线切割中弯曲翘曲度的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种降低类碳化硅晶体多线切割中弯曲翘曲度的方法，包括下述步骤：1、选择双数块整形完成的标准晶体，以A和B分别表示每个晶体的两个面；2、选择步骤1中的双数块晶体，在粘胶台上按照A‑B‑B‑A‑A‑B‑B‑A顺序和方向将双数个晶体粘接成整体；加压12小时；3、将步骤2粘接加工完成的晶体粘接到切割工件板上，待粘胶彻底冷却后即可进行多线切割。本发明提出了一种降低类碳化硅晶体多线切割中弯曲翘曲度的方法，通过使用双数晶体背向粘胶方法，在增加切割长度的同时，控制了切割晶片的弯曲翘曲，得到低弯曲翘曲度的切割片，给后续加工带来便利，降低了研磨抛光难度，提高了晶片加工质量。
本发明授权一种降低类碳化硅晶体多线切割中弯曲翘曲度的方法在权利要求书中公布了：1.一种降低类碳化硅晶体多线切割中弯曲翘曲度的方法，其特征在于：包括下述步骤： 步骤1、选择双数块整形完成的标准晶体，以A和B分别表示每个晶体的两个面； 步骤2、选择步骤1中的双数块晶体，在粘胶台上按照A-B-B-A-A-B-B-A顺序和方向将双数个晶体粘接成整体；加压12小时； 步骤3、将步骤2粘接加工完成的晶体粘接到切割工件板上，待粘胶彻底冷却后即可进行多线切割； 所述的步骤1中，所述的整形完成的标准晶体指外圆研磨完成合格、平面研磨完成合格、晶向一致、平行度合格、无崩边无裂纹； 所述的晶向一致指误差小于0.2°，平行度小于0.04毫米，表面粗糙度小于0.5微米。
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