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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种基于VASP软件的二维InGaN材料的设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115631814B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211196516.9，技术领域涉及：G16C60/00；该发明授权一种基于VASP软件的二维InGaN材料的设计方法是由王文樑;江弘胜;李国强设计研发完成，并于2022-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于VASP软件的二维InGaN材料的设计方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于VASP软件的二维InGaN材料的设计方法，包括以下步骤：1对块体InGaN材料的原子结构模型进行几何优化；2构建二维InGaN的原子结构模型：从几何优化后的块体InGaN材料中沿c面切出表面，沿c轴方向添加真空层构建晶胞；在二维InGaN材料的表面添加赝氢原子，氢原子成键方向垂直于c轴；3计算二维InGaN材料的能带结构：首先对二维InGaN材料的原子结构模型进行几何优化，接着通过单点能计算输出电荷分布情况，最后计算二维InGaN材料的能带结构，读取单点能计算输出的电荷分布。本发明解决了非层状二维材料设计中计算难收敛的问题，减少了材料设计的时间，提高了效率。

本发明授权一种基于VASP软件的二维InGaN材料的设计方法在权利要求书中公布了：1.一种基于VASP软件的二维InGaN材料的设计方法，其特征在于，包括以下步骤： （1）对块体InxGa1-xN材料的原子结构模型进行几何优化；其中x=0~1； 所述几何优化采用HSE06杂化泛函处理电子的交换关联能； 所述块体InxGa1-xN材料的原子结构模型的构建过程如下： 从晶体数据库中获取纤锌矿结构InN和GaN的结构文件，并计算InxGa1-xN的晶格常数； 当InxGa1-xN中x0.5时，按照GaN中原子位置添加Ga、N原子，根据x值确认In原子比例，构建超晶胞并替换Ga原子； 当x≥0.5时，按照InN中原子位置添加In、N原子，根据x值确认Ga原子比例，构建超晶胞并替换In原子； （2）构建二维InxGa1-xN材料的原子结构模型： 从几何优化后的块体InxGa1-xN材料中沿c面切出表面，沿c轴方向添加真空层构建晶胞； 在二维InxGa1-xN材料的表面添加赝氢原子，氢原子成键方向垂直于c轴； 在生成的POSCAR文件中将与N原子和InGa原子相连的H原子分别设置为H1、H2，利用含0.75个电子和1.25个电子的H原子POTCAR文件生成POTCAR文件，并分别设置为H1、H2； （3）计算二维InxGa1-xN材料的能带结构： 首先对二维InxGa1-xN材料的原子结构模型进行几何优化，接着通过单点能计算输出电荷分布情况，最后计算二维InxGa1-xN材料的能带结构，读取单点能计算输出的电荷分布情况； 所述单点能计算采用HSE06杂化泛函处理电子的交换关联能。

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