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龙图腾网获悉中冶赛迪工程技术股份有限公司;中冶赛迪技术研究中心有限公司申请的专利一种基于金属衬底的微纳米薄膜温度传感器及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115615569B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211247850.2，技术领域涉及：G01K7/01；该发明授权一种基于金属衬底的微纳米薄膜温度传感器及其制作方法是由肖学文;冯科;漆锐;陈南菲;余维江;邓惠丹;段青松;谭庆;杨玉设计研发完成，并于2022-10-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于金属衬底的微纳米薄膜温度传感器及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于金属衬底的微纳米薄膜温度传感器及其制作方法，属于微纳米传感器技术领域。微纳米薄膜温度传感器包括金属基底、金属过渡层、金属粘结层、绝缘层、第一极金属传感层、第二极金属传感层、保护层和导线。制作方法为：1在金属基底上沉积金属过渡层；2在金属过渡层表面上沉积金属粘结层；3在金属粘结层表面涂上绝缘层；4制作第一极金属传感层和第二极金属传感层；5根据传感器尺寸，切割保护层，并在保护层的底面依次沉积金属过渡层和金属粘结层；本发明对原始温度场干扰小，能准确捕捉到温度场的动态变化，灵活安装在狭小空间中以及更接近待测点进行检测，可根据需求在单检测点同时布置多组电偶以实现局部多点检测。

本发明授权一种基于金属衬底的微纳米薄膜温度传感器及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种微纳米薄膜温度传感器的制作方法，其特征在于：该制作方法包括以下步骤： S11：基于温度检测范围，设计传感器的形状、尺寸和数量，并制造微纳米薄膜温度传感器掩模板； S12：选取微纳米薄膜温度传感器的金属基底； S13：在金属基底上沉积一层金属过渡层； S14：利用磁控溅射工艺在金属过渡层表面上沉积一层金属粘结层； S15：利用匀胶旋涂工艺在金属粘结层表面涂上一层绝缘层； S16：在热板上对沉积有金属过渡层、金属粘结层和绝缘层的金属基底进行软烘；软烘后，在烘箱中对金属基底进行固化； S17：利用匀胶旋涂工艺在绝缘层表面涂上一层厚度范围为[1μm，5μm]的光刻胶，并在热板上进行前烘；在光刻机上采用掩模板对前烘后的金属基底进行曝光；曝光后再将金属基底放置于热板上进行后烘，再放置于显影液中进行显影； S18：利用磁控溅射工艺在光刻胶层表面上依次沉积金属粘结层、第一极金属传感层、第二极金属传感层和金属粘结层； S19：将金属基底放置于丙酮中进行浸泡剥离；剥离后，对金属基底进行清洗和吹干，从而形成第一极金属传感层；所述第一极金属传感层具有连接导线的传感器焊盘； S110：在第一极金属传感层表面涂上一层厚度范围为[1μm，5μm]的光刻胶，并在热板上进行前烘；在光刻机上采用掩模板对前烘后的金属基底进行曝光；曝光后再将金属基底放置于热板上进行后烘，再放置于显影液中进行显影； S111：重复步骤S18和S19，制作第二极金属传感层；所述第二极金属传感层具有连接导线的传感器焊盘； S112：基于传感器尺寸，切割保护层，并在保护层的底面依次沉积金属过渡层和金属粘结层； S113：在第二极金属传感层上沉积绝缘层，并将保护层粘接在绝缘层上，从而形成待封装微纳米薄膜温度传感器；所述保护层未覆盖第一极金属传感层和第二极金属传感层的传感器焊盘； S114：对待封装微纳米薄膜温度传感器进行烘烤固化，从而形成三明治层状封装结构； S115：利用等离子刻蚀工艺去除传感器焊盘表面的绝缘层； S116：传感器焊盘连接导线，并利用热板进行烘烤固化；烘烤固化后，在传感器焊盘上涂抹一层环氧树脂，并经过时间t固化，从而形成微纳米薄膜温度传感器；t0。

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