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龙图腾网获悉深圳市同一方光电技术有限公司申请的专利高光效耐压光源制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116207085B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211363749.3，技术领域涉及：H10H29/24；该发明授权高光效耐压光源制作方法是由杨帆;刘建强;李伟伟;宋浪;黄胜;吴奇;李沙沙设计研发完成，并于2022-11-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本高光效耐压光源制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及光源的技术领域，公开了高光效耐压光源制作方法，包括以下制作步骤：1、提供基板，基板上具有发光区域以及线路结构，在发光区域固定发光芯片；2、在基板上进行第一次围坝，形成初围坝；3、在发光区域内点胶，形成初荧光胶，初荧光胶包括有低折硅胶，低折硅胶内混合有氟化物荧光粉；4、在初围坝上进行第二次围坝，形成后围坝；5、在发光区域点胶，形成后荧光胶，后荧光胶包括有高折硅胶；后荧光胶为高折硅胶，提高了光源的胶面的耐压能力，当光源的胶面受到挤压时，芯片与线路结构之间的金线则不会被压断，后荧光胶覆盖了初荧光胶，可以对初荧光胶的氟化物荧光粉进行覆盖保护，使光源的光效从原有的170lmw提升至200LMW。

本发明授权高光效耐压光源制作方法在权利要求书中公布了：1.高光效耐压光源制作方法，其特征在于，包括以下制作步骤： 1）、提供基板，所述基板上具有发光区域以及线路结构，在所述发光区域固定芯片，将所述芯片与线路结构之间通过金线进行电性连接； 2）、在所述基板上进行第一次围坝，形成初围坝，所述初围坝环绕在发光区域的外周布置； 3）、在所述发光区域内点胶，形成初荧光胶，所述初荧光胶包括有低折硅胶，所述低折硅胶内混合有氟化物荧光粉； 4）、在所述初围坝上进行第二次围坝，形成后围坝，所述后围坝覆盖在初围坝上，所述初围坝与后围坝形成环绕在发光区域外周且一体式的围坝结构； 5）、在所述发光区域点胶，形成后荧光胶，所述后荧光胶包括有高折硅胶，所述后荧光胶覆盖在初荧光胶上； 所述制作步骤2）中，在进行第一次围坝操作的过程中，在所述发光区域的外周进行断续式点胶，形成所述初围坝，所述初围坝的顶部形成多个朝下凹陷的凹槽，多个所述凹槽沿着初围坝的周向间隔布置； 所述初围坝的外侧中设有外通孔，所述外通孔朝内连通凹槽，朝外连通至初围坝的外部，沿着自内而外的方向，所述外通孔朝下倾斜布置； 所述制作步骤4）中，当所述初围坝上进行第二次围坝后，所述后围坝的底部覆盖在初围坝的顶部上，且填充满多个凹槽以及外通孔。

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