买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉南京大学申请的专利一种基于双气流的高效掺杂HFCVD设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115786874B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211427974.9，技术领域涉及：C23C16/27；该发明授权一种基于双气流的高效掺杂HFCVD设备是由顾书林;陈子昂;刘松民;朱顺明;汤琨;叶建东设计研发完成，并于2022-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于双气流的高效掺杂HFCVD设备在说明书摘要公布了：一种基于双气流的高效掺杂HFCVD设备,包括反应腔、气体导入结构，气体导入结构包括四路气体管道，上、下两个进气口；第一路气体管道通入的是反应气体，第二路气体管道通入的是载气，第一、第二两路气体管道的气体混合后从第一进气管通过上进气口即导入到反应腔，上进气口位于反应腔的顶部中心位置；上进气口与基片台中间设有热丝；第三路气体管道通入的是掺杂气体，第四路气体管道通入的是载气，两路气体混合后从第二进气管通过下进气口导入反应腔，下进气口位于基片台下方的中心位置，形状为喇叭状，上、下进气口和基片台的正投影面呈同心结构。本发明有效提高金刚石薄膜生长中掺杂气体的利用效率，实现金刚石薄膜样品中的高效掺杂。

本发明授权一种基于双气流的高效掺杂HFCVD设备在权利要求书中公布了：1.一种基于双气流的高效掺杂HFCVD设备,其特征是，包括反应腔、气体导入结构，气体导入结构包括四路气体管道，上、下两个进气口；第一路气体管道通入的是反应气体，第二路气体管道通入的是载气，第一、第二两路气体管道的气体混合后从第一进气管通过上进气口即导入到反应腔，上进气口位于反应腔的顶部中心位置；上进气口与基片台中间设有热丝；第三路气体管道通入的是掺杂气体，第四路气体管道通入的是载气，两路气体混合后从第二进气管通过下进气口导入反应腔，第二进气管与下进气口在基片台下部连接，下进气口位于基片台下方的中心位置，形状为喇叭状，上、下进气口和基片台的正投影面呈同心结构； 上进气口位于反应腔的顶部中心位置，上进气口的孔径控制在1厘米到2厘米范围，实现将基片台上反应气体的流速控制在合适的范围； 上进气口下方7厘米至9厘米高度位置设有热丝，反应气体能均匀地辐射到热丝上； 热丝位于基片台上方，热丝与基片台的高度控制在0.4厘米到1.5厘米范围，实现将基片台表面的温度控制在合适的范围。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人南京大学，其通讯地址为：210093 江苏省南京市鼓楼区汉口路22号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。