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龙图腾网获悉合肥御微半导体技术有限公司申请的专利一种套刻测量方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115729057B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211500199.5，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权一种套刻测量方法是由杨朝兴;齐景超设计研发完成，并于2022-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种套刻测量方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种套刻测量方法。该方法包括：获取第一层图形以及与第一层图形相邻的第一层中间层图形形成的第一图像；依次获取第i+1层中间层图形以及与第i+1层中间层图形相邻的第i+2层中间层图形形成的第i+2图像；获取第i+2层中间层图形以及与第i+2层中间层图形相邻的第二层图形形成的第i+3图像，其中，各层中间层图形依次叠放在第一层图形之上；第二层图形叠放在第i+2层中间层图形之上；根据第一图像至第i+3图像获得第一套刻误差至第i+3套刻误差，进而将第一套刻误差至第i+3套刻误差累加获得第一图像相对于第二图像的套刻误差。本发明实施例通过在套刻标记内外圈图形之间增加中间层，简化了套刻量测工艺复杂性，提高了套刻量测精度和量测产率。

本发明授权一种套刻测量方法在权利要求书中公布了：1.一种套刻测量方法，其特征在于，包括： 获取第一层图形以及与所述第一层图形相邻的第一层中间层图形形成的第一图像； 依次获取所述第一层中间层图形以及与所述第一层中间层图形相邻的第二层中间层图形形成的第二图像，所述第二层中间层图形以及与所述第二层中间层图形相邻的第三层中间层图形形成的第三图像，......，第i+1层中间层图形以及与所述第i+1层中间层图形相邻的第i+2层中间层图形形成的第i+2图像； 获取第i+2层中间层图形以及与所述第i+2层中间层图形相邻的第二层图形形成的第i+3图像；其中，各层中间层图形依次叠放在所述第一层图形之上；所述第二层图形叠放在第i+2层中间层图形之上；相邻两层图形之间的间距小于图像采集设备的焦深；i为整数且i≥0； 根据所述第一图像至所述第i+3图像获得第一套刻误差至第i+3套刻误差，进而将第一套刻误差至第i+3套刻误差累加获得所述第一层图形和所述第二层图形的套刻误差。

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