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龙图腾网获悉江苏中科君芯科技有限公司申请的专利具备多重调控的沟槽型IGBT器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116190418B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211564953.1，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权具备多重调控的沟槽型IGBT器件是由杨晓鸾;许生根;李哲锋;李磊;孔凡标设计研发完成，并于2022-12-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本具备多重调控的沟槽型IGBT器件在说明书摘要公布了：本发明涉及一种具备多重调控的沟槽型IGBT器件。其包括半导体基板以及元胞区；对任一元胞，包括元胞第一沟槽以及元胞第二沟槽，其中，在所述元胞第一沟槽与元胞第二沟槽之间设置多重调控区，多重调控区与元胞第一沟槽、元胞第二沟槽相应的外壁接触，且多重调控区与用于形成IGBT器件发射极的发射极金属适配连接；所述沟槽型IGBT器件处于正向导通状态时，利用多重调控区对空穴载流子存储，以调控空穴载流子的分布，并利用所调控空穴载流子的分布降低导通压降；所述沟槽型IGBT器件处于反向关断状态时，利用多重调控区抽取空穴载流子。本发明可以实现对空穴载流子积累和抽取的多重调控，进一步实现优化导通压降和开通损耗之间的折中。

本发明授权具备多重调控的沟槽型IGBT器件在权利要求书中公布了：1.一种具备多重调控的沟槽型IGBT器件，包括具有第一导电类型的半导体基板以及制备于所述半导体基板中心区的元胞区，元胞区包括若干并联分布的元胞，元胞区内的元胞采用沟槽结构；其特征是： 对任一元胞，包括元胞第一沟槽以及与所述元胞第一沟槽邻近的元胞第二沟槽，其中， 在所述元胞第一沟槽与元胞第二沟槽之间设置用于空穴载流子存储或空穴载流子抽取的多重调控区，所述多重调控区沿元胞第一沟槽以及元胞第二沟槽相应的长度方向分布，多重调控区与元胞第一沟槽、元胞第二沟槽相应的外壁接触，且多重调控区与用于形成IGBT器件发射极的发射极金属适配连接； 所述沟槽型IGBT器件处于正向导通状态时，利用多重调控区对空穴载流子存储，以调控空穴载流子的分布，并利用所调控空穴载流子的分布降低导通压降； 所述沟槽型IGBT器件处于反向关断状态时，利用多重调控区抽取空穴载流子； 所述多重调控区包括第一导电类型载流子存储层、制备于所述第一导电类型载流子存储层上的第二导电类型基区以及若干制备于第二导电类型基区上的多重调控单元，其中， 第一导电类型载流子存储层、第二导电类型基区均沿元胞第一沟槽、元胞第二沟槽相应的长度方向分布，第一导电类型载流子存储层位于元胞第一沟槽以及元胞第二沟槽相应槽底的上方； 对任一多重调控单元，包括沿元胞第一沟槽长度方向依次分布的第一导电类型源区、第二导电类型第一掺杂区、第二导电类型体区以及第二导电类型第二掺杂区； 第二导电类型基区上存在多个多重调控单元时，多个多重调控单元在第二导电类型基区上沿元胞第一沟槽以及元胞第二沟槽相应的长度方向周期排布；对两个相邻的多重调控区，一多重调控区的第二导电类型第二掺杂区与另一多重调控区的第一导电类型源区接触； 第一导电类型源区以及第二导电类型基区形成上层空穴势垒区，发射极金属与第二导电类型体区形成具有空穴势垒的非欧姆接触，发射极金属与第一导电类型源区、第二导电类型第一掺杂区以及第二导电类型第二掺杂区欧姆接触。

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