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电子科技大学屈世伟获国家专利权

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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种基于等离子体激元具有低副瓣特性的光学天线获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116520489B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310071567.7,技术领域涉及:G02B6/122;该发明授权一种基于等离子体激元具有低副瓣特性的光学天线是由屈世伟;周广柱;吴耿波;陈志豪设计研发完成,并于2023-02-07向国家知识产权局提交的专利申请。

一种基于等离子体激元具有低副瓣特性的光学天线在说明书摘要公布了:本发明公开一种基于等离子体激元具有低副瓣特性的光学天线,属于天线领域。该发明天线结构包括最下层硅基衬底,中层为二氧化硅埋氧层,最上层为两金薄膜条带构成的光学天线。本发明才采用光学等离子激元槽波导传输导波,其中用槽宽度的变化产生电场幅度周期性的调制实现空间频率的迁移,从而将一次谐波辐射到自由空间中,同时在周期性变化的槽宽度基础上叠加偏置进一步控制沿传输方向上槽的宽度,使得天线辐射口径满足低副瓣设计幅度。本发明具有本发明具有结构简单、加工方便、便于大规模集成的特点,可用于适用于激光雷达和高速光通信系统中。

本发明授权一种基于等离子体激元具有低副瓣特性的光学天线在权利要求书中公布了:1.一种基于等离子体激元具有低副瓣特性的光学天线,该天线包括:硅基衬底层,二氧化硅埋氧层,金属薄膜天线层; 最下层为硅基衬底层,厚度为500μm;二氧化硅埋氧层位于硅基衬底层上表面,厚度为1μm;金属薄膜天线层位于二氧化硅埋氧层上表面;所述金属薄膜天线层由两条对称的金条带构成,金条带宽度和厚度分别是350nm和100nm,两金条带之间具有间隙,该间隙支持等离子激元槽模式; 两条金条带之间的间隙宽度Wy沿着传输方向变化满足下式: Wy=2*[a0+b0*y^2+an+bn*y+cn*y^2*cos2*π*yp] 其中,a0=0.17μm,b0=0.0009μm-1,an=0.0089μm,bn=0.0085,cn=0.008μm-1,p=0.9μm。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人电子科技大学,其通讯地址为:611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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