湖北九峰山实验室向诗力获国家专利权
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龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利一种适用于UV-NIL技术的掩模板、及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116300304B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310148509.X，技术领域涉及：G03F1/54；该发明授权一种适用于UV-NIL技术的掩模板、及其制备方法和应用是由向诗力;柳俊设计研发完成，并于2023-02-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种适用于UV-NIL技术的掩模板、及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明涉及纳米压印领域，具体涉及一种适用于紫外‑纳米压印技术UV‑NIL的掩模板、及其制备方法和应用。该掩模板，包括透明基板、位于透明基板上的凸起及位于凸起之间的凹槽，所述凹槽与预设图形相对应，所述凸起顶部及凸起周边覆盖有遮光层。该掩膜板结构简单，通过两次沉积遮光层即可制备得到；该掩模板因其凸起部位侧面能够避免曝光，压印过程中近邻侧面的光刻胶层随厚度深入，固化程度逐渐下降，控制显影时间，即可得到易于剥离liff‑off的底切undercut结构。
本发明授权一种适用于UV-NIL技术的掩模板、及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种适用于UV-NIL技术的掩模板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 在透明基板上旋涂光刻胶层，在光刻胶层上曝出特征图形后，显影；之后在具有特征图形的光刻胶结构上沉积遮光层一，随后剥离光刻胶，留下透明基板上沉积的遮光层一，以遮光层一为硬掩模，再通过干法蚀刻至透明基板达到预设深度，停止； 再次沉积遮光层二，并在垂直方向进行各向异性刻蚀，即得透明基板凸起部位顶部及其周边覆盖有遮光层的纳米压印掩模板。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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